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플라즈마 처리 장치

  • 기술번호 : KST2015065431
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 내부에 제1 전극 및 상기 제1 전극과 이격되어 대향하는 제2 전극을 포함하는 챔버, 상기 챔버 내부로 반응가스를 공급하는 가스 공급관 및 상기 가스 공급관 내부에 삽입되며, 상기 가스 공급관 내부 단면적보다 작은 단면적의 가스 통로를 제공하는 삽입부재를 포함할 수 있다. 이에 의해, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내부로 반응가스를 안정적으로 공급할 수 있으며, 플라즈마 처리 장치의 파손을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/3244(2013.01)
출원번호/일자 1020110097737 (2011.09.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0033817 (2013.04.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전창엽 대한민국 서울특별시 서초구
2 황두섭 대한민국 서울특별시 서초구
3 장우석 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0754452-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0489782-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0153405-02
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0829103-62
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0025134-29
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0025135-75
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0338542-43
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0682445-01
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0682446-46
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0810163-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 제1 전극 및 상기 제1 전극과 이격되어 대향하는 제2 전극을 포함하는 챔버;상기 챔버 내부로 반응가스를 공급하는 가스 공급관; 및상기 가스 공급관 내부에 삽입되며, 상기 가스 공급관 내부 단면적보다 작은 단면적의 가스 통로를 제공하는 삽입부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 삽입부재는 절연물질을 포함하는 플라즈마 처리 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 삽입부재는, 서로의 사이 공간이 상기 가스 통로를 구성하는 복수의 삽입부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 복수의 삽입부재 중 적어도 일부에 관통홀이 형성되어, 추가적인 가스 통로를 제공하는 플라즈마 처리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 삽입부재는 가스 공급관 내부에 밀착되며, 내부에 상기 가스 통로를 구성하는 관통홀이 형성되는 플라즈마 처리 장치
6 6
제5항에 있어서,상기 관통홀의 직경은 0
7 7
제5항에 있어서,상기 관통홀이 허니콤 구조를 포함하는 플라즈마 처리 장치
8 8
제5항에 있어서,상기 삽입부재의 단부에는 상기 관통홀의 단면적보다 큰 단면적을 가지며, 상기 관통홀과 연통되는 캐비티가 형성되는 플라즈마 처리 장치
9 9
제8항에 있어서,상기 삽입부재는 복수 개로 형성되고, 상기 복수 개의 삽입부재 사이에 위치하는 상기 캐비티에 의해 상기 가스의 버퍼공간이 형성되는 플라즈마 처리 장치
10 10
제1항에 있어서,상기 가스 공급관과 상기 삽입부재는 동일한 재질을 포함하는 플라즈마 처리 장치
11 11
제1항에 있어서,상기 가스 공급관 및 상기 삽입부재 중 적어도 하나는 세라믹 물질을 포함하는 플라즈마 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.