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제 1 굴절률을 갖는 기판;상기 기판 상에 제 1 전극 층;상기 제 1 전극 층과 상기 기판 사이에 배치되고, 가시 광의 최소 파장보다 0
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제 1 항에 있어서,상기 저 굴절률 층은 실리카 에어로 겔을 포함하는 유기발광다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 전극 층은 그래핀을 포함하는 유기발광다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 그래핀은 10㎚ 이하의 두께를 갖는 유기발광다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극 층은 캐소드 층이고, 상기 유기 발광 층은 상기 캐소드 층 상에 적층되는 전자 주입 층, 전자 수송 층, 발광 층, 정공 수송 층, 및 정공 주입층을 포함하는 유기발광다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 하부에 형성된 마이크로 렌즈 어레이를 더 포함하는 유기발광다이오드
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제 6 항에 있어서,상기 마이크로 렌즈 어레이는 상기 기판의 하부에 형성된 요철을 포함하는 유기발광다이오드
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8
기판 상에 상기 기판보다 낮은 굴절률을 갖는 저 굴절률 층을 형성하는 단계;상기 저 굴절률 층 상에 투명 전극 층을 형성하는 단계;상기 투명 전극 층 상에 유기 발광 층을 형성하는 단계;상기 유기 발광 층 상에 반사 전극 층을 형성하는 단계; 및상기 반사 전극 층 상에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 저 굴절률 층은 초임계건조 방법으로 형성된 실리카 에어로 겔을 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서,상기 초임계건조 방법은 고온 초임계건조 공정을 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 투명 전극 층은 트랜스퍼링 방법, 테이프 박리 방법, 또는 열화학기상증착 방법으로 형성된 그래핀을 포함하는 유기발광다이오드의 제조방법
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