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기판;상기 기판의 중앙 영역에 위치하며, 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치한 적어도 하나의 광전 변환부를 포함하는 적어도 하나의 제 1 셀; 및상기 기판의 가장자리 영역에 위치하며, 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치한 적어도 하나의 광전 변환부를 포함하는 적어도 하나의 제 2 셀;을 포함하고,상기 제 1 셀과 상기 제 2 셀은 각각 서로 동일한 개수의 광전 변환부를 포함하며,서로 동일한 층에 위치하는 제 1 셀 및 제 2 셀의 광전 변환부에서 상기 제 2 셀의 광전 변환부에 함유된 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 제 1 셀의 광전 변환부에 함유된 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량보다 높은 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 셀의 광전 변환부에 함유된 게르마늄 물질의 단위 면적당 평균 함유량과 상기 제 1 셀의 광전 변환부에 함유된 게르마늄 물질의 단위 면적당 평균 함유량의 차이는 1% ~ 20%인 박막 태양전지 모듈
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3
제 1 항에 있어서,서로 동일한 층에 위치하는 광전 변환부에서의 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 제 1 셀로부터 상기 제 2 셀로 진행할수록 증가하는 박막 태양전지 모듈
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4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 셀의 광전 변환부에 함유된 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 제 1 셀의 길이 방향을 따라 변하는 박막 태양전지 모듈
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5
제 4 항에 있어서,상기 제 1 셀의 양쪽 끝단에서의 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 제 1 셀의 중앙 부위에서의 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량보다 많은 박막 태양전지 모듈
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6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 셀의 길이 방향을 따라 상기 제 1 셀의 중앙 부위에서 양쪽 끝단으로 갈수록 상기 제 1 셀의 광전 변환부에 함유된 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량이 단계적 또는 점진적으로 증가하는 박막 태양전지 모듈
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7
제 4 항에 있어서,상기 제 1 셀의 광전 변환부에서 양쪽 끝단 영역과 상기 제2 셀의 광전 변환부의 일부 영역은 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량이 서로 동일한 박막 태양전지 모듈
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8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 셀의 광전 변환부에 함유된 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 제 2 셀의 길이 방향을 따라 변하는 박막 태양전지 모듈
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 2 셀의 양쪽 끝단에서의 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 제 2 셀의 중앙 부위에서의 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량보다 많은 박막 태양전지 모듈
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10
제 9 항에 있어서,상기 제 2 셀의 길이방향을 따라 상기 제 2 셀의 중앙 부위에서 양쪽 끝단으로 갈수록 상기 제 2 셀의 광전 변환부에 함유된 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량이 단계적 또는 점진적으로 증가하는 박막 태양전지 모듈
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11
제 8 항에 있어서,상기 제 2 셀의 광전 변환부의 중앙 영역과 상기 제1 셀의 광전 변환부의 양쪽 끝단 영역은 상기 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량이 서로 동일한 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 셀의 광전 변환부와 상기 제 2 셀의 광전 변환부는 p형 반도체층, i형(진성) 반도체층, 및 n형 반도체층을 각각 포함하며,상기 제 2 셀의 i형 반도체층에 함유된 게르마늄 물질의 평균 함유량은 상기 제 1 셀의 i형 반도체층에 함유된 게르마늄 물질의 평균 함유량보다 많은 박막 태양전지 모듈
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 셀의 i형 반도체층에 함유된 게르마늄 물질의 단위 면적당 평균 함유량과 상기 제 1 셀의 i형 반도체층에 함유된 게르마늄 물질의 단위 면적당 평균 함유량의 차이는 1% ~ 20%인 박막 태양전지 모듈
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 셀 및 상기 제 2 셀의 광전 변환부에 포함된 i형 반도체층에서의 게르마늄(Ge) 물질의 함유량은 상기 p형 반도체층에 접하는 제 1 접합면 및 상기 n형 반도체층에 접하는 제 2 접합면으로부터 상기 제 1 접합면 및 상기 제 2 접합면 사이의 내부로 진행할수록 점진적으로 증가하는 박막 태양전지 모듈
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제 12 항에 있어서,서로 동일한 층에 위치하는 상기 제 1 셀의 광전 변환부와 상기 제 2 셀의 광전 변환부의 각각의 진성 반도체층은 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe) 또는 미세 결정 실리콘 게르마늄(μc-SiGe)을 포함하는 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 서로 동일한 층에 위치하는 제 1 셀 및 제 2 셀의 광전 변환부에 포함되는 게르마늄(Ge) 물질의 단위 면적당 함유량은 상기 기판 중앙 영역에서부터 상기 기판 가장자리 영역으로 방사형 방향으로 진행할수록 단계적 또는 점진적으로 증가하는 박막 태양전지 모듈
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