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기판;상기 기판의 상부에 위치하는 제 1 전극;상기 제 1 전극의 상부에 위치하는 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 광전 변환부;를 포함하고, 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 중 적어도 하나는 탄소(C) 물질로 이루어지는 탄소 전극층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 전극층은 적어도 하나의 그라핀(Graphene)층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 기판에서 상기 제 1 전극과 접하는 면은 복수 개의 요철을 포함하는 박막 태양 전지
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 탄소 전극층을 포함하고, 상기 탄소 전극층은 상기 기판에 형성된 복수 개의 요철 형상에 대응하여 복수 개의 요철 형상을 갖는 박막 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극에 포함되는 탄소 전극층의 두께는 상기 기판에 형성된 요철의 최대 돌출 높이보다 작은 박막 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극에 포함되는 탄소 전극층의 두께는 상기 기판에 형성된 요철의 최대 돌출 높이의 1%이하인 박막 태양 전지
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제 3 항에 있어서,상기 탄소 전극층은 라미네이팅 방법 또는 화학적 기상 증착(CVD) 방법 중 어느 하나에 의해 상기 기판의 요철 상부에 형성되는 박막 태양 전지
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제 3 항에 있어서,상기 기판에 형성된 복수 개의 요철의 돌출 끝단 사이의 간격은 10㎛ 이하인 박막 태양 전지
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9
제 3 항에 있어서,상기 기판에 형성된 복수 개의 요철의 돌출 높이는 3㎛ 이하인 박막 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극에 포함되는 탄소 전극층의 두께는 20nm 이하인 박막 태양 전지
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극은 알루미늄산화아연(ZnO:Al) 물질 또는 붕소산화아연(ZnO:B) 물질을 함유하는 금속 전극층을 더 포함하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 기판과 접하는 제 1 전극층과 상기 광전 변환부와 접하는 제 2 전극층을 포함하고,상기 제 1 전극층은 상기 탄소 전극층을 포함하고, 상기 제 2 전극층은 상기 금속 전극층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 기판과 접하는 제 1 전극층과 상기 광전 변환부와 접하는 제 2 전극층을 포함하고,상기 제 1 전극층은 상기 금속 전극층을 포함하고, 상기 제 2 전극층은 상기 탄소 전극층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 11 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 기판과 접하는 제 1 전극층, 상기 광전 변환부와 접하는 제 2 전극층 및 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층 사이에 위치하는 제 3 전극층을 포함하고,상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층은 상기 금속 전극층을 포함하고, 상기 제 3 전극층은 상기 탄소 전극층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 적어도 하나의 p-i-n층을 포함하는 박막 태양 전지
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