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서로 다른 공정 압력에서 증착 속도를 측정하여 공정 압력에 따른 증착 속도를 측정하는 단계; 상기 공정 압력에 따른 증착 속도로부터 최고 증착 속도를 도출하는 단계; 상기 최고 증착 속도를 기준으로 설정된 기준 증착 속도 이상의 증착 속도를 가지는 공정 압력 범위를 도출하는 단계; 및상기 공정 압력 범위 내의 공정 압력 하에서 증착을 수행하는 단계를 포함하는 화학 기상 증착 방법
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제1항에 있어서, 상기 기준 증착 속도는 상기 최고 증착 속도의 80%의 속도인 화학 기상 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 공정 압력 범위가 5 내지 8 토르인 화학 기상 증착 방법
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제3항에 있어서,상기 공정 압력 범위가 6 내지 7 토르인 화학 기상 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 화학 기상 증착 방법에서는 플라즈마를 이용하는 화학 기상 증착 방법
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제1항에 있어서,상기 화학 기상 증착 방법에서는 반응 기체로 실란 기체 및 수소 기체를 사용하여 실리콘 막을 형성하는 화학 기상 증착 방법
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제6항에 있어서,상기 실란 기체 : 상기 수소 기체의 부피비가 1 : 20~40인 화학 기상 증착 방법
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제6항에 있어서,상기 수소 기체의 유량이 5000~15000 sccm(standard cubic centimeter per minute)인 기상 증착 방법
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