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센서의 온도 보상 기능을 포함하는 스캐닝 마이크로미러 및 온도 보상 방법

  • 기술번호 : KST2015065578
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서는, 광원으로부터 출사된 빔을 1차원(선) 또는 2차원(면)의 소정의 영역에 주사(scan)하는 스캐닝 마이크로미러에 있어서, 구동각을 측정하는 센서의 온도 변화에 따른 구동각(또는 회전각)의 측정 오차를 감소시키기 위한 온도 보상 기능을 가지는 스캐닝 마이크로미러 및 그 온도 보상방법을 제공한다.이를 위하여, 일 실시예에 따른 스캐닝 마이크로미러는, 제 1 탄성체를 회전축으로 하여 구동되는 미러판, 상기 미러판의 주위에 구비되고, 제 2 탄성체를 회전축으로 하여 구동되는 김블, 상기 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체, 상기 김블 및 미러판에 결합되고 전자계를 형성하여 구동력을 발생시키는 권선 및 상기 권선과 함께 상기 전자계를 형성하는 자석을 포함하고, 상기 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체 중 적어도 하나에 구비되고, 상기 미러판 또는 김블의 회전량에 비례하는 측정값을 생성하는 센서부 및 상기 측정값 및 상기 센서부의 주변 온도를 근거로 상기 미러판 또는 김블의 회전각을 검출하는 회전각 검출부를 포함할 수 있다.
Int. CL G02B 26/10 (2006.01)
CPC G02B 26/127(2013.01) G02B 26/127(2013.01) G02B 26/127(2013.01) G02B 26/127(2013.01) G02B 26/127(2013.01)
출원번호/일자 1020110103286 (2011.10.10)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0038751 (2013.04.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병구 대한민국 서울특별시 서초구
2 임태선 대한민국 서울특별시 서초구
3 강규민 대한민국 서울특별시 서초구
4 정문기 대한민국 서울특별시 서초구
5 최동준 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0790656-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-0969197-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0814757-95
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0075346-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0075330-12
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0360001-61
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0747376-30
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0747373-04
10 등록결정서
Decision to grant
2018.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0573430-74
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2018.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-5022142-43
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 탄성체를 회전축으로 하여 구동되는 미러판;상기 미러판의 주위에 구비되고, 제 2 탄성체를 회전축으로 하여 구동되는 김블;상기 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체, 상기 김블 및 미러판에 결합되고 전자계를 형성하여 구동력을 발생시키는 권선; 및상기 권선과 함께 상기 전자계를 형성하는 자석을 포함하는 스캐닝 마이크로미러에 있어서,상기 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체 중 적어도 하나에 구비되고, 상기 미러판 또는 김블의 회전량에 비례하는 측정값을 생성하는 센서부; 및상기 측정값 및 상기 센서부의 주변 온도를 근거로 상기 미러판 또는 김블의 회전각을 검출하는 회전각 검출부를 포함하며,상기 센서부는, 다수의 압저항체를 포함하고,상기 회전각 검출부는, 상기 다수의 압저항체 중 상기 미러판 또는 상기 김블의 회전량에 따라 저항값의 변화가 서로 다른 두 개 이상의 압저항체를 선택하고, 상기 선택된 두 개 이상의 압저항체의 저항값을 합산한 값을 근거로 상기 센서부의 주변 온도를 검출하는 것을 특징으로 하는 스캐닝 마이크로미러
2 2
제1항에 있어서, 상기 센서부는,상기 탄성체의 비틀림에 따라 저항값이 변하는 압저항체(piezoresistor)인 스캐닝 마이크로미러
3 3
제1항에 있어서, 상기 센서부는,상기 탄성체의 표면 또는 내부에 위치하는 것인 스캐닝 마이크로미러
4 4
제1항에 있어서, 상기 센서부는,상기 제 1 탄성체의 양단 중 상기 김블 쪽 단부에 구비되고, 상기 제 2 탄성체의 양단 중 지지부 쪽 단부에 구비되는 것인 스캐닝 마이크로미러
5 5
제1항에 있어서, 상기 미러판 또는 상기 김블의 회전각을 룩-업(look-up) 테이블 형태로 저장하는 메모리부를 더 포함하고,상기 회전각 검출부는,상기 메모리부의 룩-업 테이블로부터 상기 센서부의 주변 온도 및 측정값에 해당하는 상기 미러판 또는 상기 김블의 회전각을 검출하는 것인 스캐닝 마이크로미러
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 센서부는,상기 다수의 압저항체가 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)의 형태를 구성하는 것인 스캐닝 마이크로미러
8 8
삭제
9 9
제 1 탄성체를 회전축으로 하여 구동되는 미러판;상기 미러판의 주위에 구비되고, 제 2 탄성체를 회전축으로 하여 구동되는 김블;상기 제 1 탄성체 및 제 2 탄성체, 상기 김블 및 미러판에 결합되고 전자계를 형성하여 구동력을 발생시키는 권선; 및상기 권선과 함께 상기 전자계를 형성하는 자석을 포함하는 스캐닝 마이크로미러에 있어서,상기 제 1 탄성체 및 상기 제 2 탄성체 중 적어도 하나에 구비되고, 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)의 형태로 구성된 다수의 압저항체를 포함하는 센서부; 및상기 휘트스톤 브리지의 두 노드(node)에 소정의 전류을 인가하고, 나머지 두 노드 사이의 출력 전압을 근거로 상기 미러판 또는 김블의 회전각을 검출하는 회전각 검출부를 포함하며,상기 센서부는,상기 출력 전압을 증폭시키는 증폭부를 더 포함하고,상기 증폭부의 이득은 이되, R0는 기준 온도에서의 저항값, R은 온도 T에서의 저항값, α는 R의 온도계수 및 β는 ΔR/R의 온도계수인 것을 특징으로 하는 스캐닝 마이크로미러
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 3 탄성체를 회전축으로 구동되는 미러판;상기 미러판의 주위에 구비되고, 상기 미러판과 서로 역위상으로 구동되는 내측 김블;상기 내측 김블의 주위에 구비되고, 제 4 탄성체를 통해 상기 내측 김블을 지지하는 외측 김블; 및제 5 탄성체를 통해 상기 외측 김블을 지지하는 지지부를 포함하되, 상기 외측 김블은 상기 제 5 탄성체를 회전축으로 구동되는 스캐닝 마이크로미러에 있어서,상기 제 3 탄성체, 상기 제 4 탄성체 및 상기 제 5 탄성체 중 적어도 하나에 구비되고, 상기 미러판, 상기 내측 김블 또는 외측 김블의 회전량에 비례하는 측정값을 생성하는 센서부; 및상기 측정값 및 상기 센서부의 주변 온도를 근거로 상기 미러판, 상기 내측 김블 또는 상기 외측 김블의 회전각을 검출하는 회전각 검출부를 포함하며,상기 센서부는, 다수의 압저항체를 포함하고,상기 회전각 검출부는, 상기 다수의 압저항체 중 상기 미러판 또는 상기 김블의 회전량에 따라 저항값의 변화가 서로 다른 두 개 이상의 압저항체를 선택하고, 상기 선택된 두 개 이상의 압저항체의 저항값을 합산한 값을 근거로 상기 센서부의 주변 온도를 검출하는 것을 특징으로 하는 스캐닝 마이크로미러
13 13
제12항에 있어서, 상기 미러판, 상기 내측 김블 또는 상기 외측 김블의 회전각을 룩-업(look-up) 테이블 형태로 저장하는 메모리부를 더 포함하고,상기 회전각 검출부는,상기 메모리부의 룩-업 테이블로부터 상기 센서부의 주변 온도 및 측정값에 해당하는 상기 미러판, 상기 내측 김블 또는 상기 외측 김블의 회전각을 검출하는 것인 스캐닝 마이크로미러
14 14
삭제
15 15
제12항에 있어서, 상기 센서부는,상기 다수의 압저항체가 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)의 형태를 구성하는 것인 스캐닝 마이크로미러
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.