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플라즈마 처리 장치 및 이에 포함되는 전극부

  • 기술번호 : KST2015065650
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요약 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 제1 전극부; 및 상기 제1 전극부와 대향 배치되며, 일면에 프라즈마 처리될 기판이 위치하는 제2 전극부를 포함한다. 상기 제1 전극부는 방사율을 높이도록 표면 처리된 표면 처리부를 포함한다.
Int. CL H05H 1/46 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32559(2013.01)
출원번호/일자 1020110100814 (2011.10.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0036620 (2013.04.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임유봉 대한민국 서울특별시 서초구
2 장우석 대한민국 서울특별시 서초구
3 전창엽 대한민국 서울특별시 서초구
4 이기세 대한민국 서울특별시 서초구
5 황두섭 대한민국 서울특별시 서초구
6 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0773752-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0489841-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0153266-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0827662-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0057437-42
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0057436-07
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0334290-49
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.06.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0564047-08
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0564046-52
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0503925-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극부; 및상기 제1 전극부와 대향 배치되며, 일면에 프라즈마 처리될 기판이 위치하는 제2 전극부를 포함하고, 상기 제1 전극부는 방사율을 높이도록 표면 처리된 표면 처리부를 포함하는 플라즈마 처리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 양극 산화(anodizing)에 의하여 형성되어 산화 피막을 포함하는 플라즈마 처리 장치
3 3
제2에 있어서, 상기 산화 피막의 두께가 5~500㎛인 플라즈마 처리 장치
4 4
제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 텍스처링(texturing)에 의하여 형성되어, 상기 표면 처리부의 표면 거칠기가 표면 처리되지 않은 부분의 표면 거칠기보다 큰 플라즈마 처리 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 표면 처리부는 상기 제1 전극부에서 상기 기판과 평행한 면에 위치하는 플라즈마 처리 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 전극부는, 내부 공간을 가지며 반응 기체를 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부 사이로 공급하는 관통홀을 가지는 기체 공급 부재, 및 상기 기체 공급 부재의 내부에 위치하는 확산 부재를 포함하고, 상기 기체 공급 부재 및 상기 확산 부재 중 적어도 하나가 상기 표면 처리부를 구비하는 플라즈마 처리 장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 전극부가 금속을 포함하는 플라즈마 처리 장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 전극부가 알루미늄이고, 상기 표면 처리부의 방사율이 0
9 9
제1항에 있어서,상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부를 내부에 위치시키는 챔버를 더 포함하고, 상기 제1 전극부에 근접 위치하는 상기 챔버의 부분에 가열 부재 및 냉각 부재를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치
10 10
플라즈마 처리 장치에서 반응 기체를 공급하는 전극부로서, 방사율을 높이도록 표면 처리된 표면 처리부를 포함하는 전극부
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.