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수직형 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015065809
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 발광 소자에 관한 것으로 특히, 수직형 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 1전극 상에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하며, 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조; 상기 반도체 구조 상에 위치하는 무 도핑 반도체층; 상기 무 도핑 반도체층을 관통하여 상기 제 2전도성 반도체층에 이르는 개구부; 상기 개구부에 위치하며, 상기 제 2전도성 반도체층에 삽입되어 접촉하는 삽입부, 상기 삽입부의 주변부 측에서 상기 무 도핑 반도체층 상측까지 연장되는 연장부를 포함하는 제 2전극; 및 상기 무 도핑 반도체층에 형성되는 광 추출 구조를 포함하여 구성된다.
Int. CL	H01L 33/22 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC	H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자	1020110111077 (2011.10.28)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1414645-0000 (2014.06.26)
공개번호/일자	10-2013-0046605 (2013.05.08) 문서열기
공고번호/일자	(20140703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.09.12)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	성준호	대한민국	서울특별시 서초구
2	이은아	대한민국	서울특별시 서초구
3	강민구	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	박영복	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-0847475-12
2	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0737380-16
3	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0737379-70
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.04.02	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.05.09	수리 (Accepted)	9-1-2013-0036804-74
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.10.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0714036-23
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.11.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1027725-24
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2013-1027726-70
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0284547-67
10	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2014.05.23	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0488542-11
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.05.23	수리 (Accepted)	1-1-2014-0488543-67
12	등록결정서 Decision to Grant Registration	2014.05.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0367614-08
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 도전성 기판;상기 도전성 기판 상에 위치하는 제 1전극;상기 제 1전극 상에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하며, 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조;상기 반도체 구조 상에 위치하는 무 도핑 반도체층;상기 무 도핑 반도체층을 관통하여 상기 제 2전도성 반도체층에 이르는 개구부;상기 개구부에 위치하며, 상기 제 2전도성 반도체층에 삽입되어 접촉하는 삽입부, 상기 삽입부의 주변부 측에서 상기 무 도핑 반도체층 상측까지 연장되는 연장부 및 상기 삽입부 상에 형성되는 수납부를 포함하고, 상기 삽입부가 상기 제 2전도성 반도체층에 삽입된 깊이와 상기 제 2전도성 반도체층과의 접촉 면적의 비율은 1:1 내지 1:5인 제 2전극; 상기 수납부 내에 위치하고 와이어 본딩을 위한 패드; 및상기 무 도핑 반도체층에 형성되는 광 추출 구조를 포함하여 구성되고, 상기 제 2전극은 상기 광 추출 구조의 형성을 위한 식각 용액에 반응하지 않는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은, 상기 연장부 단부에서 상기 무 도핑 반도체층 상면 측으로 절곡되는 절곡부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자
3	3 제 1항에 있어서, 상기 연장부는, 상기 삽입부에 대하여 경사진 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자
4	4 제 3항에 있어서, 상기 경사진 연장부의 각도는, 상기 제 2전도성 반도체층과의 접촉 평면에 대하여 20°내지 70°인 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 삽입부 및 연장부는 연속된 곡면을 이루는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자
6	6 삭제
7	7 제 1항에 있어서, 상기 제 2전극은, Cr, Pt, Au, Ni, Mo, W, Pd, Ta, Pb, Cu, Te, Rh, 또는 Cd를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자
8	8 실리콘 반도체를 포함하는 성장 기판 상에 무 도핑 반도체층을 성장시키는 단계;상기 무 도핑 반도체층 상에 질화물계 반도체를 이용하여 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조를 성장시키는 단계;상기 반도체 구조 상에 제 1전극을 형성하는 단계;상기 제 1전극 상에 도전성 기판을 부착하는 단계;상기 성장 기판을 제거하는 단계;상기 무 도핑 반도체층의 일부에 삽입홀을 형성하는 단계;상기 삽입홀 상에 상기 반도체 구조와 접촉하는 삽입부, 상기 삽입부의 주변부 측에서 상기 무 도핑 반도체층 상측까지 연장되는 연장부를 포함하고, 상기 삽입부가 상기 제 2전도성 반도체층에 삽입된 깊이와 상기 제 2전도성 반도체층과의 접촉 면적의 비율은 1:1 내지 1:5가 되도록 제 2전극을 형성하는 단계; 및상기 무 도핑 반도체층을 식각하여 광 추출 구조를 형성하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 제 2전극은 상기 광 추출 구조의 형성을 위한 식각 용액에 반응하지 않는 금속 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
9	9 제 8항에 있어서, 상기 제 2전극은, 상기 연장부 단부에서 상기 무 도핑 반도체층 상면 측으로 절곡되는 절곡부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
10	10 제 8항에 있어서, 상기 제 2전극은, Cr, Pt, Au, Ni, Mo, W, Pd, Ta, Pb, Cu, Te, Rh, 또는 Cd를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
11	11 삭제
12	12 제 8항에 있어서, 상기 무 도핑 반도체층과 반도체 구조를 합한 두께는 4 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
13	13 제 8항에 있어서, 상기 삽입부 및 연장부는 연속된 곡면을 이루는 것을 특징으로 하는 수직형 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1414645-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20111028 출원 번호 : 1020110111077 공고 연월일 : 20140703 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140528 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 33/22 발명의 명칭 : 수직형 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	474,000 원	2014년 06월 27일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2017년 05월 24일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2018년 05월 24일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2019년 05월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.10.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-0847475-12
2	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.09.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0737380-16
3	[명세서등 보정]보정서	2012.09.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0737379-70
4	선행기술조사의뢰서	2013.04.02	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2013.05.09	수리 (Accepted)	9-1-2013-0036804-74
6	의견제출통지서	2013.10.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0714036-23
7	[명세서등 보정]보정서	2013.11.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1027725-24
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2013-1027726-70
9	거절결정서	2014.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0284547-67
10	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2014.05.23	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2014-0488542-11
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.05.23	수리 (Accepted)	1-1-2014-0488543-67
12	등록결정서	2014.05.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0367614-08
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015065809
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	수직형 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은 발광 소자에 관한 것으로 특히, 수직형 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 위치하는 제 1전극; 상기 제 1전극 상에 위치하고, 질화물계 반도체를 포함하며, 제 1전도성 반도체층, 활성층, 및 제 2전도성 반도체층을 포함하는 반도체 구조; 상기 반도체 구조 상에 위치하는 무 도핑 반도체층; 상기 무 도핑 반도체층을 관통하여 상기 제 2전도성 반도체층에 이르는 개구부; 상기 개구부에 위치하며, 상기 제 2전도성 반도체층에 삽입되어 접촉하는 삽입부, 상기 삽입부의 주변부 측에서 상기 무 도핑 반도체층 상측까지 연장되는 연장부를 포함하는 제 2전극; 및 상기 무 도핑 반도체층에 형성되는 광 추출 구조를 포함하여 구성된다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
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