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기재의 일면에는 언더코팅층을, 다른 일면에는 하드코팅층을 형성하는 단계;상기 언더코팅층의 양 끝단에 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 스페이서가 형성된 언더코팅층에 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 투명전극층은 Si, Ti, Sn, Nb, In, Mg, Ta 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물, 질화물 또는 산질화물로 형성된 것인, 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐 알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지 및 폴리페닐렌 황화물계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 것인 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 25 ㎛ 내지 200 ㎛의 두께를 갖는 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 열가소성 수지, 부직포, 우레탄 발포시트 및 폴리에틸렌 발포체 시트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 제조된 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 10 ㎛ 내지 100 ㎛ 두께와 5 mm 내지 100 mm의 너비를 갖는 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 스페이서는 언더코팅층 표면에 적층하여 라미네이팅하는 방식으로 형성되는 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 언더코팅층은 유기층, 무기층 또는 유-무기 복합층인 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극층은 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 스프레이 열분해법, 화학 도금법 및 전기 도금법으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 방법에 의해 기재 상부에 증착되는 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극층은 ITO(Indium Tin Oxide)인 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극층의 두께는 5 nm 내지 200 nm인 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항에 있어서,투명전극층이 형성된 언더코팅층으로부터 스페이서를 제거하거나, 포함하여 권심에 감는 권취 단계를 더 포함하는 투명 도전성 필름의 제조방법
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제 1 항의 제조방법에 의해 형성된 투명 도전성 필름으로서, 하드코팅층, 기재, 양 끝단에 스페이서가 형성된 언더코팅층 및 투명전극층 순으로 적층된 구조를 가지며, 상기 투명전극층은 Si, Ti, Sn, Nb, In, Mg, Ta 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물, 질화물 또는 산질화물로 형성되며,상기 투명전극층의 단위 면적당 덴트(dent) 수가 10개 미만인, 투명 도전성 필름
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제 15 항에 있어서,상기 기재는 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르 술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐 알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지 및 폴리페닐렌 황화물계로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 형성된 것인 투명 도전성 필름
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제 15 항에 있어서,상기 기재는 25 ㎛ 내지 200 ㎛의 두께를 갖는 투명 도전성 필름
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제 15 항에 있어서,상기 투명전극층은 ITO(Indium Tin Oxide)인 투명 도전성 필름
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제 15 항에 있어서,상기 투명전극층의 두께는 5 nm 내지 200 nm 인 투명 도전성 필름
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기재; 및상기 기재에 형성된 제15항 내지 제17항, 제20항 및 제21항 중 어느 한 항에 따른 투명 도전성 필름이 구비된 터치 패널
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