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반도체 소자를 제조하는 데에 사용되는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법으로서,전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 가지는 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼에 대하여 1초~2분간 급속 열처리함으로써, 상기 반도체 소자의 제조 공정에서 가해지는 후속 열처리의 열 이력에 의해 BMD가 될 점결함의 밀도와 분포를 제어하는 단계; 및상기 급속 열처리시의 온도보다 낮은 온도에서 2~8시간 어닐링하여 상기 점결함으로부터 산소 석출 핵을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
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전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 가지고, 반도체 소자를 제조하는 데에 사용되는 실리콘 웨이퍼에 있어서,상기 전면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제1 디누드 존;상기 후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제2 디누드 존; 및상기 제1 및 제2 디누드 존 사이에 형성된 벌크 영역;을 포함하고,상기 반도체 소자의 제조 공정에서 가해지는 800℃에서 2시간 및 1000℃에서 4시간 이내의 후속 열처리의 열 이력에 의해 상기 벌크 영역에 30nm 이상의 크기를 갖는 BMD가 생성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제2항에 있어서,상기 800℃에서 2시간 및 1000℃에서 4시간 이내의 후속 열처리의 열 이력에 의해 상기 벌크 영역에 생성되는 BMD의 밀도가 4x108 ea/cm3 이상이 되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 800℃에서 2시간 및 1000℃에서 4시간 이내의 후속 열처리의 열 이력에 의해 상기 벌크 영역에 50nm 이상의 크기를 갖는 BMD가 생성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 디누드 존의 깊이는 각각 상기 전면 및 후면으로부터 30μm 이내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1 및 제2 디누드 존의 깊이는 각각 상기 전면 및 후면으로부터 15μm 이내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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전면, 후면, 테두리 에지부 및 상기 전면과 후면 사이의 영역을 가지는, 반도체 소자의 제조에 투입되기 전의 실리콘 웨이퍼에 있어서,상기 전면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제1 디누드 존;상기 후면의 표면으로부터 소정 깊이까지 형성된 제2 디누드 존; 및상기 제1 및 제2 디누드 존 사이에 형성된 벌크 영역;을 포함하고,상기 벌크 영역에 30nm 이상의 크기를 갖는 BMD가 생성되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제7항에 있어서,상기 BMD의 밀도가 4x108 ea/cm3 이상이 되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 반도체 소자의 제조 공정에서 가해지는 800℃에서 2시간 및 1000℃에서 4시간 이내의 후속 열처리의 열 이력에 의해 상기 벌크 영역에 50nm 이상의 크기를 갖는 BMD가 생성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 제1 및 제2 디누드 존의 깊이는 각각 상기 전면 및 후면으로부터 30μm 이내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 제1 및 제2 디누드 존의 깊이는 각각 상기 전면 및 후면으로부터 15μm 이내인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼
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