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하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물:[화학식 1][화학식 2]상기 화학식 1 및 2에서,Ar1, Ar2, Ar4 및 Ar5는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸릴기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸릴기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고,Ar3은 수소; 중수소; 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸릴기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아릴아민기, 아릴기, 아릴알킬기, 아릴알케닐기, 헤테로고리기, 카바졸릴기, 플루오레닐기 및 니트릴기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되고 이종원자로 O, N 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된다
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar1은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar2는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar3은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:상기 구조식에서, X는 각각 독립적으로 N, S 또는 O이고, CY는 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 Ar4는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:상기 구조식에서, CY는 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 Ar5는 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
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7
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 구조식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
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제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 화학식 1 또는 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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9
청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층을 포함하고, 상기 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 한 층이 상기 화학식 1 또는 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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10
청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 화학식 1 또는 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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11
청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상의 층을 포함하고, 상기 층 중 하나의 층이 상기 화학식 1 또는 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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12
청구항 8에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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13
청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 전자 수송층을 포함하고, 이 전자 수송층은 알칼리 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토금속 또는 알칼리 토금속 화합물 및 이들의 조합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 도판트를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자
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