1 |
1
수지층과 금속층을 포함하는 라미네이트 시트의 전지케이스에 전극조립체 및 전해액이 내장되어 있는 전지셀의 활성화 과정에서 발생한 가스를 제거하는 공정에 사용되는 장치로서, 전지셀이 투입되는 진공 챔버;전지셀이 기울어진 상태로 탑재되는 지그; 및상기 진공 챔버를 밀폐하고 지그와 결합되어 있는 챔버 게이트;를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 지그는 전지셀의 일측 단부를 탑재하는 본체부와, 전지셀이 기울어진 상태로 탑재되도록 타측 단부가 상향 연장되어 있는 돌출부로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 돌출부는 본체부의 높이를 기준으로 10% 내지 200%의 높이를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
4 |
4
제 2 항에 있어서, 상기 본체부에는 전지셀의 단부를 장착하기 위해 상기 단부에 대응하는 부위에 전지셀의 높이 방향으로 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
5 |
5
제 2 항에 있어서, 상기 돌출부의 상단면은 전지셀이 기울어진 각도에 대응하여 경사면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 지그는 전지셀이 탑재되는 본체로 이루어져 있고, 상기 본체의 상단면은 전지셀이 기울어진 상태로 탑재되는 경사면인 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 경사면은 지그의 수평 바닥면을 기준으로 5도 내지 70도의 경사각으로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 챔버 게이트는 전지셀의 측면 실링 단부를 고정하기 위한 그립퍼를 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 그립퍼는 챔버 게이트에 일체형으로 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
10 |
10
제 8 항에 있어서, 상기 그립퍼는 커터가 전지셀의 측면 실링 단부를 커팅하여 가스를 배출한 후 커팅된 측면 실링 단부를 고정하는 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 라미네이트 시트는 외부 수지층, 공기 및 수분 차단성 금속층, 및 열융착성 내부 수지층의 적층 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
12 |
12
제 1 항에 있어서, 상기 전극조립체는 권취형 구조, 스택형 구조, 또는 스택/폴딩형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 가스 제거 장치
|
13 |
13
수지층과 금속층을 포함하는 라미네이트 시트의 전지케이스에 전극조립체 및 전해액이 내장되어 있는 전지셀을 제조하는 방법으로서, (a) 활성화된 전지셀을 기울어진 상태로 진공 챔버에 투입하는 과정; (b) 전지셀을 진공 챔버 내에 위치한 지그에 고정시키고 진공 챔버를 진공으로 전환하는 과정; (c) 전지케이스의 내부와 통하는 관통부를 형성하여 전지셀 내부의 가스를 외부로 배출하기 위해 전지셀의 가스 포켓부를 커팅하는 과정; 및(d) 상기 과정(c)에서 가스를 배출한 후 미실링 부위의 내측을 열융착에 의해 실링하는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법
|
14 |
14
제 13 항에 있어서, 상기 과정(a) 이전에,(a1) 전지케이스에 전극조립체를 장착한 상태에서 전지케이스의 외주면 중 일측 단부를 제외한 나머지 부위들을 열융착시켜 실링하는 과정; (a2) 미실링 상태의 상기 단부를 통해 전해액을 주입한 후 상기 단부를 열융착에 의해 실링하는 과정; 및 (a3) 충전과 방전을 수행하여 전지셀을 활성화시키는 과정;을 수행하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법
|
15 |
15
제 14 항에 있어서, 상기 전지케이스는 평면상으로 사각형 구조로 이루어져 있고, 상기 일측 단부는 전지케이스의 일측 모서리인 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법
|
16 |
16
제 15 항에 있어서, 상기 일측 모서리의 폭은 나머지 모서리들의 폭보다 20% ~ 300%가 크고, 활성화를 위한 열융착 과정에서 상기 일측 모서리의 끝단을 실링하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법
|
17 |
17
제 13 항에 있어서, 상기 과정(d) 이후에, 나머지 외측 부위를 절취하는 과정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전지셀 제조방법
|
18 |
18
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 하나에 따른 장치에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 전지셀
|
19 |
19
제 18 항에 있어서, 상기 전지셀은 리튬 이차전지인 것을 특징으로 하는 전지셀
|