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제 1드레인 전극;상기 제 1드레인 전극 상에 위치하는 제 1전도성 반도체층;상기 제 1전도성 반도체층 상에 위치하며 2DEG 층을 포함하는 채널층;상기 채널층 상에 위치하는 장벽층;상기 장벽층 상에 위치하는 소스 및 제 2드레인 전극;상기 제 1전도성 반도체층과 채널층 사이에 위치하며, 적어도 상기 제 2드레인 전극 측의 위치에서 개구된 전류장벽층; 및상기 소스 및 제 2드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류장벽층은, 적어도 상기 게이트 전극의 하측에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류장벽층은, 상기 소스 전극의 하측부터 상기 게이트 전극의 하측까지 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 1전도성 반도체층은, n-형 질화갈륨인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제 1드레인 전극의 면적은, 상기 제 1전도성 반도체층의 면적과 동일한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 전류장벽층은, 고저항 질화갈륨인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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제 1항에 있어서, 상기 장벽층은, AlxGa1-xN(0
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제 1항에 있어서, 상기 소스 전극, 제 1 및 제 2드레인 전극은, Ti, Al, Au 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
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기판 상에 제 1전도성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1전도성 반도체층의 적어도 일부분에 전류장벽층을 형성하는 단계;상기 제 1전도성 반도체층 및 전류장벽층 상에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층 상에 장벽층을 형성하는 단계;상기 장벽층 상에 소스 전극, 제 1드레인 전극, 및 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 제 1전도성 반도체층 상에 제 2드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전류장벽층을 형성하는 단계는,상기 제 1전도성 반도체층 상에 마스크층을 형성하는 단계; 및상기 제 1전도성 반도체층 상에 제 1전도성 반도체층을 절연시킬 수 있는 이온을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 전류장벽층은, 상기 소스 전극의 하측부터 상기 게이트 전극의 하측까지 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제 2드레인 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조방법
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