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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015066026
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명의 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 형성된 전도성 박막층; 및, 상기 전도성 박막층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하고, 상기 이면전극층은 불소를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01) H01L 31/02366(2013.01)
출원번호/일자 1020110115397 (2011.11.07)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1283174-0000 (2013.07.01)
공개번호/일자 10-2013-0050184 (2013.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20130705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승엽 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0877426-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.09.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080059-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0707793-68
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0062167-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0062165-08
7 등록결정서
Decision to grant
2013.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0361172-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지기판; 상기 지지기판 상에 형성되고, 표면에 요철이 형성되며, SnO2:F를 포함하는 이면전극층;상기 이면전극층 상에 형성되며, 산화몰리브덴(MoO2)을 포함하는 전도성 박막층; 및상기 전도성 박막층 상에 형성된 광 흡수층;을 포함하는 태양전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 이면전극층에 형성된 요철에 대응하도록 상기 전도성 박막층의 표면에 요철이 형성되는 태양전지
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 산화 몰리브덴은 10~50nm의 두께로 형성되는 태양전지
7 7
지지기판 상에 표면에 요철이 형성되고, SnO2:F를 포함하는 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 산화몰리브덴(MoO2)을 포함하는 전도성 박막층을 형성하는 단계;상기 전도성 박막층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 이면전극층은 상기 지지기판의 상면에 SnO2를 증착하고, 상기 SnO2의 표면에 F를 도핑하여 형성되는 태양전지 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 전도성 박막층은, 상기 이면전극층의 표면에 Mo을 10nm 내지 30nm의 두께로 증착한 후, 산소를 주입하여 형성되는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.