맞춤기술찾기

이전대상기술

은 페이스트 조성물을 이용한 후면 전극의 제조방법 및 실리콘 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015066145
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 태양전지의 후면전극 형성시 주석 분말을 포함하는 은 페이스트 조성물을 이용함으로써, 기존에 비해 후막의 Ag 패턴의 크랙을 방지하고 소성 후 박리현상과 기판의 뒤틀림 현상을 방지하여 개방전압을 향상시킬 수 있는 실리콘 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01B 1/14 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110129692 (2011.12.06)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1648918-0000 (2016.08.10)
공개번호/일자 10-2013-0063265 (2013.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20160818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.29)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김민서 대한민국 대전 서구
2 김소원 대한민국 대전광역시 서구
3 신동오 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0968670-79
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0717219-95
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0045376-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0484172-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0892260-07
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0892261-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0070732-79
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0269591-92
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0269600-15
13 등록결정서
Decision to grant
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0538850-02
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
에미터 층 및 반사방지막이 형성된 제1도전형 반도체 기판의 배면에 알루미늄 페이스트 조성물을 도포하여 소정 두께의 알루미늄 막을 형성하는 단계;상기 기판에 형성된 알루미늄 막 위에, 은 분말, 주석 분말, 글래스 프릿 분말 및 유기바인더를 포함하는 은 페이스트 조성물을 인쇄하여 Ag 패턴을 형성하는 단계; 및상기 알루미늄 막과 Ag 패턴을 갖는 기판을 동시에 소성하는 단계;를 포함하며,상기 주석 분말은 열팽창계수가 21x10-6/℃이고, 열전도도가 66
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 주석 분말은 은 분말 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부로 포함하는 후면 전극의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 소성은 상온에서부터 1,000 ℃ 이내의 온도에서 5초 내지 3 분 이내의 시간 동안 수행하는 후면 전극의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 소성하는 단계를 통해, Ag 패턴이 알루미늄 막에 침투하여 소정의 Ag/Al 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 후면 전극의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판인 후면 전극의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 알루미늄 페이스트 조성물은 알루미늄 분말, 글래스 프릿, 유기 용매 및 유기 바인더를 포함하는 후면 전극의 제조방법
9 9
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 글래스 프릿 분말은 납 산화물 또는 비스무트 산화물을 포함하는 후면 전극의 제조방법
10 10
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 유기 바인더는 셀룰로오스 수지, 아크릴계 수지, 부틸카르비톨 및 터피네올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물인 후면 전극의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 은 페이스트 조성물은 유기용매를 더 포함하는 후면 전극의 제조방법
12 12
(a) 제1 도전형 반도체 기판에 에미터층을 형성하는 단계;(b) 상기 에미터층 위에 반사방지막을 형성하는 단계; 및(c) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극을 형성하는 단계, 및(d) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 배면에 제1항에 따른 방법으로 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 전면전극을 형성하는 단계에서, 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극 형성용 페이스트를 인쇄하고 소성하여, 전면 전극이 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층에 접속되는 단계를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.