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제1 두께를 갖는 제1 부분과 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 부분을 구비한 반도체 기판,상기 반도체 기판의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분에 위치하는 에미터부,상기 제2 부분을 제외한 상기 제 1 부분 위에 위치하는 반사 방지부,상기 반도체 기판의 상기 제2 부분에 위치하는 제1 전극, 그리고상기 기판 위에 위치하고 상기 기판과 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 에미터부와 접해 있는 상기 제1 전극의 하부 표면과 접하고 있는 상기 제2 부분의 표면은 복수의 돌출부와 복수의 오목부를 갖는 요철면인 태양 전지
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제1항에서,상기 복수의 돌출부 각각은 300㎚ 내지 800㎚의 폭과 돌출 높이를 갖고 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 전극의 상기 하부 표면의 반대편에 위치하는 상기 제1 전극의 상부 표면은 상기 반사 방지부의 상부 표면보다 낮은 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 전극은 각각 도전성 물질로 이루어져 있는 복수의 층을 구비한 태양 전지
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제4항에서,상기 제1 전극은,상기 하부 표면 위에 위치하고 제1 도전성 물질로 이루어져 있는 제1 층,상기 제1 층 위에 위치하고 제2 도전성 물질로 이루어져 있는 제2 층, 그리고상기 제2 층 위에 위치하고 제3 도전성 물질로 이루어져 있는 제3 층을 포함하는 태양 전지
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제5항에서,상기 제1 도전성 물질은 니켈(Ni)로 이루어져 있고,상기 제2 도전성 물질은 구리(Cu)로 이루어져 있으며, 상기 제2 도전성 물질은 은(Ag) 또는 주석(Sn)으로 이루어져 있는 태양 전지
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제5항에서,상기 제1 층의 두께와 상기 제3 층의 두께는 각각 상기 제2 층의 두께보다 얇은 태양 전지
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제7항에서,상기 제1 층의 두께와 상기 제3 층의 두께는 서로 동일한 태양 전지
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제7항에서,상기 제1 층의 두께와 상기 제3 층의 두께 각각의 비율은 상기 제1 전극의 총 두께의 10% 내지 20%이고, 상기 제2 층의 두께 비율은 상기 제1 전극의 총 두께의 60% 내지 80%인 태양 전지
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10
제9항에서,상기 제1 전극의 총 두께는 10㎛ 내지 20㎛인 태양 전지
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11
제1항에서,상기 제1 전극의 폭은 10㎛ 내지 40㎛인 태양 전지
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제1항에서,상기 기판에 위치하고 상기 제2 전극과 접해 있는 전계부를 더 포함하는 태양 전지
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제1 도전성 타입을 갖는 반도체 기판의 제1 면 위에 반사 방지부를 형성하는 단계,상기 반사 방지부 위에 마스크 층을 형성하는 단계,상기 마스크 층의 일부, 상기 마스크 층의 일부 하부에 위치하는 상기 반사 방지부의 일부, 그리고 상기 반사 방지부의 일부 하부에 위치하는 상기 반도체 기판의 일부를 제거하여 복수의 개구부를 형성하는 단계,상기 복수의 개구부에 노출된 상기 반도체 기판의 일부와 상기 마스크 층의 일부를 건식 식각한 후, 상기 마스크 층을 제거하여, 상기 반도체 기판의 일부에 복수의 돌출부와 복수의 오목부를 갖는 요철면을 형성하는 단계,상기 반사 방지부 일부 아래에 위치한 상기 반도체 기판의 일부와 상기 복수의 개구부를 통해 노출된 상기 반도체 기판의 일부에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입의 불순물을 도핑하여 에미터부를 형성하는 단계,상기 복수의 개구부 내에 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고상기 반도체 기판의 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 마스크 층은 스핀 코팅법(spin coating)이나 스크린 인쇄법으로 형성되며, 100㎚ 내지 500㎚의 두께를 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에서,상기 요철면 형성 단계는 반응성 이온 식각법을 이용하여 상기 복수의 돌출부와 상기 복수의 오목부를 갖는 상기 요철면을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제15항에서,상기 복수의 돌출부는 각각 300㎚ 내지 800㎚의 폭과 돌출 높이는 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제15항에서,상기 제1 전극 형성 단계는 상기 반도체 기판의 제1 면을 도금액에 침전시켜, 상기 개구부 내에 제1 도전성 재료로 이루어진 제1 층을 형성하는 단계,상기 제1 층 위에 제2 도전성 재료로 이루어진 제2 층을 도금법으로 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 층 위에 제3 도전성 재료로 이루어진 제3 층을 스퍼터링법이나 도금법으로 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제17항에서,상기 제2 도전성 재료는 니켈(Ni)이고, 상기 제2 도전성 재료는 구리(Cu)이며, 상기 제3 도전성 재료는 은(Ag) 또는 주석(Sn)인 태양 전지의 제조 방법
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제17항에서,상기 에미터부는 제1 면저항값을 갖는 제1 에미터 부분과 상기 제1 면저항값보다 작은 제2 면저항값을 갖는 제2 에미터 부분을 포함하고,상기 제1 에미터 부분은 상기 반사 방지부 일부 아래에 위치한 상기 반도체 기판의 일부에 형성되고,상기 제2 에미터 부분은 상기 복수의 개구부를 통해 노출된 상기 반도체 기판의 일부에 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제19항에서,상기 제1 면저항값은 80Ω/sq
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