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유기발광다이오드의 제조 방법

기술번호 : KST2015066464
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 유기발광다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기발광다이오드의 제조 방법은 기판에 광산란을 유발하는 요철부를 형성할 수 있다. 상기 요철부는 나노급의 크기를 가지며, 무작위로 배치될 수 있다. 상기 요철부의 제조 방법은 기판 상에 폴리머의 비젖음을 개시시키는 나노입자들을 분산시키는 단계, 폴리머 박막 형성 후 열처리로 폴리머 마스크를 형성하는 단계, 상기 폴리머 마스크를 이용하여 기판을 식각하는 단계, 상기 폴리머 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 51/56 (2012.01.18)
CPC
출원번호/일자	1020110133026 (2011.12.12)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0066271 (2013.06.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	취하
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	문제현	대한민국	대전광역시 유성구
2	이정익	대한민국	경기도 군포시 수리산로 **,
3	조두희	대한민국	대전광역시 유성구
4	박승구	대한민국	대전광역시 서구
5	추혜용	대한민국	대전광역시 유성구
6	황주현	대한민국	서울특별시 양천구
7	신진욱	대한민국	인천광역시 남동구
8	한준한	대한민국	대전광역시 유성구
9	주철웅	대한민국	서울특별시 동작구
10	허진우	대한민국	대전광역시 서구
11	유병곤	대한민국	충청북도 영동군

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.12.12	수리 (Accepted)	1-1-2011-0985618-58
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.05.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0379361-51
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2015-0033722-29
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상부에 무작위로 배치되는 요철부를 형성하는 단계;상기 요철부 상에 상기 요철부를 평탄화시키는 평탄층을 형성하는 단계;상기 평탄층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서,상기 요철부를 형성하는 단계는상기 기판 상에 폴리머의 비젖음을 개시시키는 나노입자들을 분산하는 단계;상기 나노입자들 상에 폴리머층을 형성하는 단계;상기 폴리머층을 열처리하여 폴리머 마스크를 형성하는 단계; 및상기 폴리머 마스크를 이용하여 상기 기판을 식각하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
3	3 제 2항에 있어서,상기 나노입자들을 분산하는 단계는 나노입자를 고휘발성 용매와 혼합해 기판 표면에 분산하는 방법을 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
4	4 제 2항에 있어서,상기 나노입자들을 분산하는 단계는 200℃ 내지 600℃의 온도에서 진행되는 금속 박막의 비젖음을 이용하는 방법을 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
5	5 제 4항에 있어서,상기 금속박막의 두께는 10nm 내지 50nm인 유기발광다이오드의 제조 방법
6	6 제 2항에 있어서,상기 열처리는 상기 폴리머의 유리천이온도 이상에서 진행되는 유기발광다이오드의 제조 방법
7	7 제 2항에 있어서,상기 나노입자는 ZnO, TiO2, SnO2, In2O3, NiO, Al2O3 등의 금속 산화물 중 하나 이거나, Ag, Au, Cu, Pt, Ni, Cr, Pd, Mg, Cs, Ca, Sn, Sb, Pb등의 금속들 중에서 하나를 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
8	8 제 2항에 있어서,상기 나노입자의 크기는 10nm 내지 50nm인 유기발광다이오드의 제조 방법
9	9 제 2항에 있어서,상기 나노입자의 간격은 100nm 내지 2000nm인 유기발광다이오드의 제조 방법
10	10 제 2항에 있어서,상기 폴리머층의 두께는 50nm 내지 2000nm인 유기발광다이오드의 제조 방법
11	11 제 2항에 있어서,상기 폴리머층은 폴리스타이렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메트아크릴라이트(PMMA), 폴리에틸렌계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리염화비닐(PVC), PVP(polyvinylpyrrolidone), 폴리아미드계 수지, 및 에폭시계 수지 중 하나를 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
12	12 제 1항에 있어서,상기 평탄층은 상기 기판보다 높은 굴절율을 가지는 유기발광다이오드의 제조 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20130149803	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013149803	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.12.12	수리 (Accepted)	1-1-2011-0985618-58
2	[명세서등 보정]보정서	2012.05.11	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0379361-51
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2015-0033722-29
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


기술번호	KST2015066464
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	유기발광다이오드의 제조 방법
기술개요	본 발명은 유기발광다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기발광다이오드의 제조 방법은 기판에 광산란을 유발하는 요철부를 형성할 수 있다. 상기 요철부는 나노급의 크기를 가지며, 무작위로 배치될 수 있다. 상기 요철부의 제조 방법은 기판 상에 폴리머의 비젖음을 개시시키는 나노입자들을 분산시키는 단계, 폴리머 박막 형성 후 열처리로 폴리머 마스크를 형성하는 단계, 상기 폴리머 마스크를 이용하여 기판을 식각하는 단계, 상기 폴리머 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415120051
세부과제번호	11ZB1150
연구과제명	교감형 스마트 OLED 광원 핵심기술개발사업
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	산업기술연구회
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2011
연구기간	201101~201512
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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