| 1 |
1
지지기판;상기 지지기판 상에 후면전극층; 및,상기 후면전극층 상에 광흡수층;을 포함하고,상기 광 흡수층은 복수층이 적층되며, 상부로 갈수록 밴드갭이 높아지고,상기 광 흡수층은,상기 후면전극층 상에 순차적으로 적층되는 제1 광 흡수층, 제2 광 흡수층 및 제3 광 흡수층을 포함하고,상기 제1 광 흡수층은 CuIn(Se(1-x)Sx)2로 형성되고, 제2 광 흡수층은 Cu(In(1-x)Gax)Se2로 형성되며, 제3 광 흡수층은 Cu(In(1-x)Alx)Se2의 화학식(0〈x≤1)으로 형성되는 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1 광 흡수층 내지 상기 제3 광 흡수층은 1
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 후면전극층 상에 순차적으로 적층되는 제1 광 흡수층, 제2 광 흡수층 및 제3 광 흡수층을 포함하고,상기 제1 광 흡수층은 InGaSe로 형성되고, 제2 광 흡수층은 CuSe로 형성되며, 제3 광 흡수층은 InAlSe의 화학식으로 형성되는 태양전지
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 광 흡수층 상에 형성되는 버퍼층;을 포함하고 상기 버퍼층은 ZnS로 형성되는 태양전지
|
| 8 |
8
지지기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 제1 광 흡수층을 형성하는 단계; 및,상기 제1 광 흡수층 상에 제1 광 흡수층보다 높은 밴드갭을 갖는 제2 광 흡수층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 광 흡수층은 CuIn(Se(1-x)Sx)2로 형성되고, 제2 광 흡수층은 Cu(In(1-x)Gax)Se2의 화학식(0〈x≤1)으로 형성되는 태양전지 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,상기 제2 광 흡수층 상에 제3 광 흡수층을 형성하고, 상기 제3 광 흡수층은 Cu(In(1-x)Alx)Se2의 화학식(0〈x≤1)으로 형성되는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 후면전극층 상에 제1 광 흡수층을 InGaSe의 화학식으로 형성하고, 제2 광 흡수층은 CuSe의 화학식으로 형성하며, 제3 광 흡수층은 InAlSe의 화학식으로 형성하는 태양전지 제조방법
|
