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태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015066488
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법은, 제1 도전형 불순믈을 가지는 반도체 기판의 전면 및 후면을 경면 연마(mirror polishing)하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면을 단면 에칭하여 상기 반도체 기판의 전면이 상기 반도체 기판의 후면보다 큰 표면 거칠기를 가지도록 텍스처링(texturing)하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면을 단면 도핑하여 제2 도전형 불순물을 가지는 에미터를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면에 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면에 제2 패시베이션 막을 형성하는 단계; 및 상기 에미터에 전기적으로 연결되는 제1 전극과 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 제2 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110136467 (2011.12.16)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0068968 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.17)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경수 대한민국 서울특별시 서초구
2 신명준 대한민국 서울특별시 서초구
3 정지원 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1003301-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-1120646-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0007685-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0758120-29
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.12.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1247416-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-1247415-28
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0049299-86
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0177922-01
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.02.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0177924-92
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0156177-02
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 불순물을 가지는 반도체 기판의 전면 및 후면을 경면 연마(mirror polishing)하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면을 단면 에칭하여 상기 반도체 기판의 전면이 상기 반도체 기판의 후면보다 큰 표면 거칠기를 가지도록 텍스처링(texturing)하는 단계; 상기 반도체 기판의 전면을 단면 도핑하여 제2 도전형 불순물을 가지는 에미터를 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면에 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면에 제2 패시베이션 막을 형성하는 단계; 상기 에미터에 전기적으로 연결되는 제1 전극과 상기 반도체 기판의 후면에 형성되는 제2 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 및상기 반도체 기판의 후면에 제1 도전형 불순물을 가지는 후면 전계층을 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 후면 전계층은 상기 반도체 기판과 상기 제2 패시베이션 막 사이에 위치하는 부분 및 상기 반도체 기판과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 부분을 포함하고,상기 후면 전계층을 형성하는 단계는 상기 제2 전극을 형성하기 위한 소성 시에 상기 제2 패시베이션막 및 상기 제2 전극을 구성하는 물질이 상기 반도체 기판의 후면에 전체적으로 확산되고, 상기 제2 전극을 구성하는 물질은 상기 제2 패시베이션막을 구성하는 물질보다 상기 반도체 기판에 더 깊이 확산되는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 텍스처링하는 단계에서 상기 단면 에칭이 반응성 이온 에칭에 의하여 이루어지고, 상기 에미터를 형성하는 단계에서 상기 단면 도핑이 이온 주입법, 플라즈마 도핑법, 스핀 온 도핑법 및 스프레이 도핑법으로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의하여 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 전면이 상기 텍스처링하는 단계에 의하여 1㎛ 이하의 표면 거칠기를 가지는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 반도체 기판의 전면이 상기 텍스처링하는 단계에 의하여 300~600nm의 표면 거칠기를 가지는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 반도체 기판의 후면이 상기 경면 연마에 의하여 100nm 이하의 표면 거칠기를 가지는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 불순물이 p형이고, 상기 제2 도전형 불순물이 n형이며,상기 제2 패시베이션 막을 형성하는 단계에서, 상기 제2 패시베이션 막은 p형 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 p형 산화막은 희토류 산화물, 알루미늄 산화물 및 지르코늄 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계에서, 상기 제1 패시베이션 막은 실리콘 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 불순물이 n형이고, 상기 제2 도전형 불순물이 p형이며, 상기 제2 패시베이션 막을 형성하는 단계에서, 상기 제2 패시베이션 막은 실리콘 질화막과, 상기 실리콘 질화막 위에 형성된 실리콘 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계에서, 상기 제1 패시베이션 막은 알루미늄 산화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 제1 패시베이션 막을 형성하는 단계와 상기 제2 패시베이션 막을 형성하는 단계 사이에, 상기 제1 패시베이션 막 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 패시베이션 막이 실리콘 질화막을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 전극 형성 단계에서는, 상기 제2 패시베이션 막 위에 제2 전극막을 형성하는 단계; 상기 제2 전극막을 레이저 소성 컨택(laser firing contact)에 의하여 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결하는 단계; 상기 제1 패시베이션 막 위에 제1 전극막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 상기 제2 전극막을 동시에 소성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 반도체 기판과 점 컨택(point contact)되는 태양 전지의 제조 방법
14 14
삭제
15 15
제1 도전형 불순물을 가지며, 전면의 표면 거칠기가 후면의 표면 거칠기보다 큰 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 전면 쪽에 형성되며, 제2 도전형 불순물을 가지는 에미터층; 상기 반도체 기판의 후면 쪽에 형성되며, 상기 제1 도전형 불순물을 가지는 후면 전계층; 상기 반도체 기판의 전면을 패시베이션하는 제1 패시베이션 막; 상기 반도체 기판의 후면을 패시베이션하는 제2 패시베이션 막; 상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 후면 전계층과 부분적으로 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판의 전면이 1㎛ 이하의 표면 거칠기를 가지며,상기 후면 전계층은 상기 반도체 기판과 상기 제2 패시베이션 막 사이에 위치하는 부분 및 상기 반도체 기판과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 부분을 포함하고,상기 제2 전극은 상기 제2 패시베이션 막을 관통하여 상기 반도체 기판의 상기 후면 전계층과 점컨택하는 제1 부분과, 상기 제1 부분에 연결되며 상기 제2 패시베이션막 위에 전체적으로 형성되는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 패시베이션막의 두께보다 두껍고, 상기 제1 부분에 대응되는 상기 후면 전계층은 상기 제2 패시베이션막에 대응되는 상기 후면 전계층 보다 더 상기 반도체 기판 내부에 형성되는 태양 전지
16 16
제15항에 있어서, 상기 반도체 기판의 전면이 300~600nm의 표면 거칠기를 가지는 태양 전지
17 17
제15항에 있어서, 상기 반도체 기판의 후면이 100nm 이하의 표면 거칠기를 가지는 태양 전지
18 18
제15항에 있어서, 상기 제1 도전형 불순물이 p형이고, 상기 제2 패시베이션 막은 p형 산화막을 포함하는 태양 전지
19 19
제18항에 있어서,상기 p형 산화막은 희토류 산화물, 알루미늄 산화물 및 지르코늄 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 태양 전지
20 20
제15항에 있어서, 상기 후면 전계층은 상기 제2 패시베이션 상에 전체적으로 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 패시베이션 막을 관통하여 상기 후면 전계층에 점 컨택되는 태양 전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02605290 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02605290 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP06068028 JP 일본 FAMILY
4 JP06449210 JP 일본 FAMILY
5 JP25128095 JP 일본 FAMILY
6 JP29017364 JP 일본 FAMILY
7 US08969125 US 미국 FAMILY
8 US09634160 US 미국 FAMILY
9 US20130153018 US 미국 FAMILY
10 US20150129033 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2605290 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2605290 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2013128095 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2017017364 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP6068028 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP6449210 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2013153018 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US2015129033 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US8969125 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US9634160 US 미국 DOCDBFAMILY
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