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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015066581
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다. 실시예에 따른 태양전지는 지지기판 상에 배치되는 후면 전극층; 상기 후면 전극층 상에 배치되는 탄소층; 상기 탄소층 상에 배치되며, 제 2 분리 패턴을 포함하는 광 흡수층; 및 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 제 3 분리 패턴을 포함하는 전면 전극층을 포함하고, 상기 후면 전극층 및 상기 탄소층은 각각 제 1 분리 패턴을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020110142893 (2011.12.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1438877-0000 (2014.09.01)
공개번호/일자 10-2013-0074715 (2013.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140916) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임진우 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1036555-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0014631-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0379695-76
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0695731-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0695729-17
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0904848-36
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0167748-24
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0167751-62
10 등록결정서
Decision to grant
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0445214-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;상기 후면 전극층 상에 배치되는 탄소층;상기 탄소층 상에 배치되며, 제 2 분리 패턴을 포함하는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되며, 제 3 분리 패턴을 포함하는 전면 전극층을 포함하고,상기 후면 전극층 및 상기 탄소층을 관통하는 제 1 분리 패턴을 포함하고, 상기 후면 전극층 및 상기 탄소층은 동일한 패턴을 포함하고,상기 광 흡수층의 두께는 100 nm 내지 700 nm 이고,상기 탄소층은 열분해 탄소 또는 열분해(pyrolytic) 흑연을 포함하는 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 탄소층은 상기 태양전지로 입사되는 태양광에 의하여 상기 광 흡수층에서 형성되는 전자 및 정공의 재결합(recombination)을 방지하는 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 탄소층의 두께는 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층의 두께는 100 nm 내지 1 ㎛ 인 태양전지
6 6
지지기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;상기 후면 전극층 상에 탄소층을 형성하는 단계;상기 탄소층 상에 제 2 분리 패턴을 포함하는 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 제 3 분리 패턴을 포함하는 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 후면 전극층 및 상기 탄소층을 관통하는 제 1 분리 패턴을 포함하고, 상기 후면 전극층 및 상기 탄소층은 동일한 패턴을 포함하고,상기 광 흡수층의 두께는 100 nm 내지 700 nm 이고,상기 탄소층은 열분해 탄소 또는 열분해(pyrolytic) 흑연을 포함하는 태양전지의 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 6 항에 있어서,상기 후면 전극층 및 상기 탄소층에 제 1 분리 패턴을 형성하는 단계를 추가 포함하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.