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지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되며, 불순물이 도핑된 카드뮴 옥사이드(CdO)층; 및상기 카드뮴 옥사이드층 상에 배치되는 전면 전극층을 포함하고,상기 불순물은 아연(Zn)을 포함하고, 상기 아연의 농도는 상기 광 흡수층으로부터 멀어질수록 감소하는 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 옥사이드층은, 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 카드뮴 옥사이드층 및상기 제 1 카드뮴 옥사이드층 상에 배치되는 제 2 카드뮴 옥사이드층을 포함하고, 상기 제 1 카드뮴 옥사이드층 내의 불순물의 농도와 상기 제 2 카드뮴 옥사이드층의 불순물의 농도는 서로 다른 태양전지
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 카드뮴 옥사이드층 내의 불순물의 농도는 상기 제 2 카드뮴 옥사이드층 내의 불순물의 농도보다 큰 높은 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 옥사이드층의 카드뮴 이온(Cd2+)이 상기 광 흡수층의 구리 공공(Cu Vacancy) 자리에 확산된 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 카드뮴 옥사이드층의 밴드갭 에너지는 2
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지지기판 상에 배치되는 후면 전극층;상기 후면 전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상에 배치되며, 불순물이 도핑된 카드뮴 옥사이드(CdO)층을 포함하는 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 불순물은 주석(Sn)을 포함하고, 상기 주석의 농도는 상기 광 흡수층으로부터 멀어질수록 증가하는 태양전지
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제 7 항에 있어서,상기 카드뮴 옥사이드층은, 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 카드뮴 옥사이드층; 및상기 제 1 카드뮴 옥사이드층 상에 배치되는 제 2 카드뮴 옥사이드층을 포함하고, 상기 제 1 카드뮴 옥사이드층 내의 불순물의 농도는 상기 제 2 카드뮴 옥사이드층의 불순물의 농도보다 작은 태양전지
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제 9 항에 있어서,상기 제2 카드뮴 옥사이드층 내의 불순물의 농도는 30 중량% 내지 50 중량% 인 태양전지
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지지기판 상에 후면 전극층을 형성하는 단계;상기 후면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 불순물이 도핑된 카드뮴 옥사이드(CdO)층을 형성하는 단계; 및상기 카드뮴 옥사이드층 상에 전면 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 카드뮴 옥사이드층은 스퍼터링 또는 화학기상증착법에 의해 형성되는 태양전지의 제조방법
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제11 항에 있어서,상기 전면 전극층을 형성하는 단계는 20℃ 내지 200℃ 에서 수행되고, 상기 전면 전극층을 형성하는 단계에서, 상기 카드뮴 옥사이드층의 카드뮴 이온(Cd2+)은 상기 광 흡수층의 구리 공공(Cu Vacancy) 자리에 확산되는 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 카드뮴 옥사이드층을 형성하는 단계는,상기 광 흡수층 상에 제 1 카드뮴 옥사이드층을 형성하고,상기 제 1 카드뮴 옥사이드층 상에, 상기 제 1 카드뮴 옥사이드층과 불순물의 농도가 다른 제 2 카드뮴 옥사이드층을 형성하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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