| 1 |
1
n형 도전성 타입을 갖는 기판,상기 기판의 전면에 위치하고 p형 도전성 타입을 갖는 에미터부,상기 에미터부 위에 차례로 위치하고 복수의 막으로 이루어진 전면 패시베이션부,상기 기판의 상기 전면의 반대편에 위치한 상기 기판의 후면 위에 위치하고 삼중막으로 이루어진 후면 패시베이션부,상기 전면 패시베이션부를 통과해 상기 에미터부와 연결된 복수의 전면 전극, 그리고상기 후면 패시베이션부를 통과해 상기 기판과 연결된 적어도 하나의 후면 전극을 포함하고,상기 후면 패시베이션부는 상기 기판의 상기 후면 위에 위치하고 상기 에미터부와 동일한 도전성 타입인 양(+)의 고정전하를 갖는 실리콘 산화물로 이루어진 제1 후면 패시베이션막,상기 제1 후면 패시베이션막 위에 위치하고 상기 에미터부 및 상기 제1 후면 패시베이션막과 동일한 도전성 타입인 양(+)의 고정전하를 갖는 실리콘 질화물로 이루어진 제2 후면 패시베이션막,상기 제2 후면 패시베이션막 위에 위치하고 상기 기판과 동일한 도전성 타입인 음(-)의 고정전하를 갖는 알루미늄 산화물로 이루어진 제3 후면 패시베이션막을 구비하고 있는 태양 전지
|
| 2 |
2
제1항에서,상기 제1 후면 패시베이션막은 5nm 내지 30nm의 두께를 갖고, 상기 제3 후면 패시베이션막은 각각 5nm 내지 20nm의 두께를 갖는 태양 전지
|
| 3 |
3
제2항에서,상기 제1 후면 패시베이션막과 상기 제3 후면 패시베이션막의 두께는 동일한 태양 전지
|
| 4 |
4
제1항에서, 제2 후면 패시베이션막은 상기 제1 후면 페시베이션막 및 제3 후면 패시베이션막보다 두꺼운 두께를 갖는 태양 전지
|
| 5 |
5
제4항에서,상기 제1 후면 패시베이션막과 상기 제3 후면 패시베이션막은 각각 10nm의 두께를 갖고, 상기 제2 후면 패시베이션막은 90nm의 두께를 갖는 태양 전지
|
| 6 |
6
제1항에서,상기 제1 후면 패시베이션막은 5㎚ 내지 30㎚의 두께를 갖고, 상기 제2 후면 패시베이션막은 10㎚ 내지 200㎚의 두께를 가지며,상기 제3 후면 패시베이션막은 5㎚ 내지 20㎚의 두께를 가지는 태양 전지
|
| 7 |
7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에서,상기 전면 패시베이션부는 상기 제1 내지 제3 후면 패시베이션막을 각각 형성하는 상기 실리콘 산화물, 상기 실리콘 질화물, 및 상기 알루미늄 산화물을 상기 제1 내지 제3 후면 패시베이션막과는 다른 적층 순서로 적층한 삼중막으로 구성되는 태양 전지
|
| 8 |
8
제7항에서,상기 전면 패시베이션부는 상기 에미터부 바로 위에 위치하며 상기 제1 후면 패시베이션막과 동일한 물질로 형성되는 제1 전면 패시베이션막,상기 제1 전면 패시베이션막 위에 위치하며 상기 제3 후면 패시베이션막과 동일한 물질로 형성되는 제2 전면 패시베이션막, 및상기 제2 전면 패시베이션막 위에 위치하며 상기 제2 전면 패시베이션막과 동일한 물질로 형성되는 제3 전면 패시베이션막을 포함하는 태양 전지
|
| 9 |
9
제8항에서,상기 제1 전면 패시베이션막과 상기 제1 후면 패시베이션막은 서로 동일한 두께로 형성되고, 상기 제2 전면 패시베이션막과 상기 제3 후면 패시베이션막은 서로 동일한 두께로 형성되며, 상기 제3 전면 패시베이션막과 상기 제2 후면 패시베이션막은 서로 동일한 두께로 형성되는 태양 전지
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제7항에서,상기 적어도 하나의 후면 전극은 복수의 접촉부를 통해 상기 기판의 상기 후면에 선택적으로 접해 있는 하나의 후면 전극을 포함하고,상기 복수의 접촉부와 접하는 상기 기판의 상기 후면에 위치하는 복수의 후면 전계부를 더 포함하는 태양 전지
|
| 18 |
18
제1항에서,상기 적어도 하나의 후면 전극은 상기 기판의 상기 후면에 접해 있고 서로 이격되어 있는 복수의 후면 전극을 포함하고,상기 기판의 상기 후면에 위치하여 상기 복수의 후면 전극과 접해 있는 하나의 후면 전계부를 더 포함하는 태양 전지
|
