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마스크리스 노광장치 및 노광방법

  • 기술번호 : KST2015066728
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요약 마스크리스 노광장치는 기판; 및 제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광하고, 제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서 상기 제1 노광영역과 상기 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 노광부;를 포함하고, 상기 노광부는, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전사함에 있어서, 상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수는 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하며, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수는 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01) G03F 7/2051(2013.01)
출원번호/일자 1020110141286 (2011.12.23)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0073442 (2013.07.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문동희 대한민국 경기도 파주시 금
2 전덕찬 대한민국 경상북도 구미시
3 김기준 대한민국 경기도 고양시 일산서구
4 최원철 대한민국 경기도 오산시 오산로*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1028510-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1253647-96
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-1221131-24
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0000686-78
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0071081-02
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0447391-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광하고, 제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 제1 노광영역과 상기 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 노광부;를 포함하고,상기 노광부는, 노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전사함에 있어서, 상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수는 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하며, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수는 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 스캔동작시 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 상기 제2 스캔동작시 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟과, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟은 서로 대칭되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치
4 4
제1항에 있어서,상기 노광부는,노광 빔을 출사하는 광원;상기 노광패턴에 따라 상기 노광 빔을 변조하는 광 변조부; 및상기 광 변조부에서 변조된 노광 빔을 상기 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 상기 기판에 전달하는 노광 광학부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치
5 5
제4항에 있어서,상기 광 변조부는 공간 광 변조소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치
6 6
제5항에 있어서,상기 공간 광 변조소자는 디지털 마이크로 미러 소자(Digital Micro-mirror Device, DMD)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광장치
7 7
노광패턴을 빔 스팟 어레이(beam spot array) 형태로 기판에 전사하며, 제1 노광영역과 제2 노광영역 사이에 일정부분 중첩 노광영역이 발생하도록 노광하는 마스크리스 노광방법에 있어서,제1 스캔동작시 상기 기판의 제1 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟(beam spot)의 수가 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계; 및제2 스캔동작시 상기 기판의 제2 노광영역을 노광함에 있어서, 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟의 수가 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하도록 노광하는 단계;를 포함하는 마스크리스 노광방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제1 스캔동작시 상기 제2 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴과, 상기 제2 스캔동작시 상기 제1 노광영역 방향에 인접할수록 점차적으로 감소하는 빔 스팟(beam spot)의 감소패턴은 랜덤하게 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟과, 상기 제2 스캔동작시 상기 중첩 노광영역에 노광되는 빔 스팟은 서로 대칭되는 것을 특징으로 하는 마스크리스 노광방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.