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벌크(bulk) 내에 결함(defect)이 포함된 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 웨이퍼를 80 내지 100℃의 온도에서 6 내지 10 시간 동안 열처리하여, 상기 결함을 상기 웨이퍼의 표면으로 확산시키는 단계; 및상기 웨이퍼 표면의 결함을 검사하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 결함 검사 단계는, 상기 웨이퍼 표면의 구리 분포를 검출하는 웨이퍼의 처리 방법
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제2 항에 있어서,상기 결함 검사 단계는, 90 나노미터 이하의 크기를 갖는 구리를 검출하는 웨이퍼의 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 웨이퍼 표면의 결함 검사 후에, 상기 웨이퍼 표면의 결함을 제거하는 세정 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리 단계 이전에 상기 웨이퍼 표면의 결함을 사전 검사하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 웨이퍼의 열처리는 복수 개의 웨이퍼를 카세트에 배치하고 실행되는 웨이퍼의 처리 방법
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제6 항에 있어서,상기 카세트는 PC 또는 PBT 수지로 이루어지는 웨이퍼의 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 열처리 공정 전에, 상기 웨이퍼를 가공하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 처리 방법
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제8 항에 있어서, 상기 가공 단계는,양면 연마 가공, 양면 연마 세정 가공, 최종 연마 가공 및 사전 세정 공정 중 적어도 하나인 웨이퍼의 처리 방법
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