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챔버; 상기 챔버 내부에 위치하고, 비전도성의 절연층 및 상기 절연층 내에 삽입되는 복수의 전극을 포함하는 플레이튼; 상기 플레이튼 위에 배치된 기판의 일면에 이온을 주입하는 이온 주입부; 및상기 복수의 전극에 전압을 공급하는 제어부;를 포함하고,상기 복수의 전극은 상기 절연층 내에서 서로 이격되어 동일한 방향으로 길게 뻗어있고,상기 제어부는 그라운드 전압(GND), 양(+)의 펄스 전압 및 음(-)의 펄스 전압 중 적어도 하나를 상기 복수의 전극 각각에 공급하되,상기 기판의 일면에 상기 이온이 주입되는 동안, 상기 제어부는 상기 복수의 전극 중 일부 전극에는 양(+)의 펄스 전압이 인가되고, 상기 복수의 전극 중 나머지 전극에는 음(-)의 펄스 전압이 인가되는 이온 주입 장치
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제1 항에 있어서,상기 복수의 전극 각각의 중심 사이의 거리(pitch)는 1
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제1 항에 있어서,상기 복수의 전극 각각의 폭은 0
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제1 항에 있어서,상기 제어부는 상기 기판의 일면에 상기 이온이 주입되는 이외의 기간 동안, 상기 복수의 전극 각각에 양(+)의 펄스 전압 또는 음(-)의 펄스 전압을 인가하여 상기 플레이튼 상부에 배치된 상기 기판을 처킹(chucking)하며, 상기 복수의 전극 각각에 그라운드 전압(GND)을 인가하여 상기 기판을 언처킹(unchucking)하는 이온 주입 장치
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제1 항에 있어서,상기 기판의 일면 중 상기 양(+)의 전압이 인가되는 전극 위에 위치하는 상기 기판의 제1 영역에는 상기 음(-)의 전압이 인가되는 전극 위에 위치하는 상기 기판의 제2 영역보다 낮은 농도로 상기 이온이 주입되는 이온 주입 장치
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제3 항에 있어서,상기 기판은 태양 전지용 실리콘 기판이며, 상기 이온 주입부로부터 주입된 이온에 의해 상기 실리콘 기판의 일면에 제1 농도를 갖는 저농도 도핑부 및 상기 제1 농도보다 높은 제2 농도를 갖는 고농도 도핑부를 갖는 선택적 에미터부를 형성하는 이온 주입 장치
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제8 항에 있어서,상기 고농도 도핑부 중심 간의 간격은 상기 복수의 전극 각각의 중심 사이의 거리와 동일한 이온 주입 장치
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제8 항에 있어서,상기 고농도 도핑부 중심 간의 간격은 상기 복수의 전극 각각의 중심 사이의 거리의 2배인 이온 주입 장치
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