1 |
1
제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입의 에미터부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 보호부를 형성하는 단계, 상기 보호부 위에 스크린 인쇄(screen printing)법을 이용하여 선택적으로 식각 방지막을 형성하여 상기 식각 방지막이 위치하지 않는 상기 보호부의 부분을 노출하는 단계, 상기 식각 방지막을 마스크로 하여 노출된 상기 보호부의 부분을 식각하여, 상기 보호부에 복수의 개구부를 형성하여 상기 복수의 개구부를 통해 상기 기판의 상기 제2 면을 선택적으로 드러내는 단계,상기 기판의 상기 제1 면 위에 제1 금속을 함유하는 제1 전극 패턴을 형성하는 단계,상기 보호부 위 그리고 상기 복수의 개구부를 통해 노출된 상기 기판의 상기 제2 면 위에 제2 금속을 함유하는 제2 전극 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴을 구비한 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 패턴에 의해 상기 에미터부와 연결된 복수의 제1 전극, 그리고 상기 제2 전극 패턴에 의해 상기 복수의 개구부를 통해 상기 제2 전극 패턴과 접해 있는 상기 기판의 상기 제2 면에 위치한 복수의 전계부 및 상기 복수의 개구부를 통해 상기 복수의 전계부와 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
2 |
2
제1항에서,상기 식각 방지막 형성 단계는 상기 스크린 인쇄법으로 식각을 원치 않는 상기 보호부의 부분 위에 선택적으로 배리어 페이스트(barrier paste)를 도포하여 건조하는 태양 전지의 제조 방법
|
3 |
3
제2항에서,상기 배리어 페이스트는 산성 배리어 페이스트(acid barrier paste)인 태양 전지의 제조 방법
|
4 |
4
제2항에서,상기 배리어 페이스트는 120℃ 내지 150℃의 온도에서 10분 내지 15분 동안 건조되는 태양 전지의 제조 방법
|
5 |
5
제2항에서,상기 배리어 페이스트는 50Pas 내지 70Pas의 점도를 갖는 태양 전지의 제조 방법
|
6 |
6
제1항에서,노출된 상기 보호부의 부분은 수산화칼륨(KOH) 용액이나 수산화나트륨(NaPH) 용액에 의해 제거되는 태양 전지의 제조 방법
|
7 |
7
제1항에서,상기 제2 전극 패턴을 형성하기 전에 상기 식각 방지막을 제거하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|
8 |
8
제7항에서,상기 식각 방지막 제거 단계는 메탄올(methanol)을 이용하여 상기 식각 방지막을 제거하는 태양 전지의 제조 방법
|
9 |
9
제1항에서,상기 복수의 개구부 각각은 5㎛ 내지 10㎛의 직경을 갖는 태양 전지의 제조 방법
|
10 |
10
제1항에서,상기 제1 금속과 상기 제2 금속은 동일한 태양 전지의 제조 방법
|
11 |
11
제10항에서,상기 제1 금속과 상기 제2 금속은 은(Ag)인 태양 전지의 제조 방법
|
12 |
12
제1항에서,상기 제1 금속과 상기 제2 금속은 상이한 태양 전지의 제조 방법
|
13 |
13
제12항에서,상기 제1 금속은 은(Ag)이고 상기 제2 금속은 알루미늄(Al)인 태양 전지의 제조 방법
|
14 |
14
제1항에서,상기 에미터부 위에 반사 방지부를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 전극 패턴은 상기 반사 방지부를 관통하여 상기 에미터부와 연결되어 상기 복수의 제1 전극을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
|
15 |
15
제1항에서,상기 기판의 상기 제1 면을 텍스처링하여 상기 기판의 상기 제1면에 요철면을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
|