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열확산법(thermal diffusion method)을 이용하여 반도체 기판의 후면에 후면 전계부(back surface field)를 형성하는 단계; 및이온 주입법(ion implantation)을 이용하여 상기 반도체 기판의 상기 후면의 반대쪽에 위치하는 전면에 에미터부(emitter)를 형성하는 단계를 포함하며,상기 후면 전계부를 형성하는 단계는,상기 반도체 기판의 상기 후면에 제1 도전형의 불순물층을 선증착(pre-deposition)하는 단계;상기 제1 도전형의 불순물층에 함유된 제1 도전형의 불순물을 상기 반도체 기판의 상기 후면 내부로 확산(drive-in)하는 단계; 및상기 후면에 선증착된 제1 도전형의 불순물층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 에미터부를 형성하는 단계는 상기 반도체 기판에 주입된 이온을 활성화(activation)하는 단계를 포함하며,상기 에미터부는 단위 면적당 100Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 후면 전계부를 형성하기 전에 상기 기판의 상기 후면 및 상기 전면 중 적어도 한 면을 조직화(texturing)하는 단계를 더 포함하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제1항 또는 제3항에서,상기 후면 전계부를 형성하는 단계는,상기 반도체 기판의 상기 전면에 배리어 막(barrier layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제4항에서,상기 배리어 막을 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx)으로 형성하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제4항에서,상기 에미터부를 형성하는 단계는 상기 배리어 막을 제거한 후 실시하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제6항에서,상기 에미터부의 불순물 도핑 농도를 균일하게 형성하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제6항에서,상기 후면 및 전면에 반사 방지막(anti-reflection layer)을 각각 형성하는 단계; 및상기 에미터부와 전기적으로 연결된 제1 전극부 및 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제6항에서,상기 에미터부의 불순물 도핑 농도를 불균일하게 형성하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제9항에서,상기 에미터부의 불순물 도핑 농도를 불균일하게 형성할 때,상기 에미터부의 일부 영역은 고농도의 도핑 농도를 갖는 고농도 도핑부로 형성하고, 상기 에미터부의 나머지 영역은 상기 고농도 도핑부에 비해 낮은 농도의 도핑 농도를 갖는 저농도 도핑부로 형성하며, 상기 저농도 도핑부는 단위 면적당 100Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제10항에서,상기 후면 및 상기 전면에 반사 방지막(anti-reflection layer)을 각각 형성하는 단계; 및상기 에미터부와 전기적으로 연결된 제1 전극부 및 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제1 전극부는 상기 에미터부의 고농도 도핑부와 전기적으로 연결하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제1항 또는 제3항에서, 상기 제1 도전형의 불순물층을 상기 전면에도 선증착(pre-deposition)하고,상기 후면 및 상기 전면에 각각 선층착된 상기 제1 도전형의 불순물층에 각각 함유된 상기 제1 도전형의 불순물을 상기 후면 및 상기 전면 내부로 각각 확산(drive-in)한 후, 상기 전면에 선증착된 제1 도전형의 불순물 및 상기 전면 내부로 확산된 상기 제1 도전형의 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제12항에서,상기 에미터부의 불순물 도핑 농도를 균일하게 형성하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제14항에서,상기 후면 및 상기 전면에 반사 방지막(anti-reflection layer)을 각각 형성하는 단계; 및상기 에미터부와 전기적으로 연결된 제1 전극부 및 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제12항에서,상기 에미터부의 불순물 도핑 농도를 불균일하게 형성하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제16항에서,상기 에미터부의 불순물 도핑 농도를 불균일하게 형성할 때,상기 에미터부의 일부 영역은 고농도의 도핑 농도를 갖는 고농도 도핑부로 형성하고, 상기 에미터부의 나머지 영역은 상기 고농도 도핑부에 비해 낮은 농도의 도핑 농도를 갖는 저농도 도핑부로 형성하며, 상기 저농도 도핑부는 단위 면적당 100Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제17항에서,상기 후면 및 상기 전면에 반사 방지막(anti-reflection layer)을 각각 형성하는 단계; 및상기 에미터부와 전기적으로 연결된 제1 전극부 및 상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극부를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 제1 전극부는 상기 에미터부의 고농도 도핑부와 전기적으로 연결하는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 제1 도전형의 불순물층에 함유된 상기 제1 도전형의 불순물은 상기 제2 전극부에는 함유되지 않는 양면 수광형 태양전지의 제조 방법
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