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제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 불순물 이온을 주입하여 불순물부를 형성하는 단계,상기 불순물부 위에, 본체, 상기 본체에 형성된 개구부 및 상기 개구부 주변의 본체에 위치하고 전압을 인가 받는 전극을 구비한 마스크를 위치시키는 단계,상기 제2 도전성 타입을 갖는 상기 불순물 이온을 상기 마스크 위에 주입하여, 상기 본체의 하부에 위치한 상기 불순물부의 부분에 제1 불순물 부분을 형성하고, 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 부분에 상기 제1 불순물 부분보다 높은 불순물 주입 농도를 갖는 제2 불순물 부분을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 불순물 부분을 구비한 기판을 열처리하여, 상기 제1 불순물 부분을 제1 에미터 부분으로 형성하여 상기 제2 불순물 부분을 상기 제1 에미터 부분보다 작은 면저항값을 갖는 제2 에미터 부분으로 형성하는 단계, 그리고상기 기판의 상기 제1 면에 위치하고 상기 제2 에미터 부분과 연결되는 제1 전극과 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하고 상기 기판의 제2 면에 위치하고 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 전극에 인가되는 전압은 0
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제1항에서,상기 제2 에미터 부분의 폭은 상기 개구부의 폭보다 작은 태양 전지의 제조 방법
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제3항에서,상기 제2 에미터 부분의 상기 폭은 150㎛ 내지 250㎛인 태양 전지의 제조 방법
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제3항 또는 제4항에서,상기 개구부의 상기 폭은 600㎛ 내지 650㎛인 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 제1 불순물 부분은 상기 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부에 추가로 위치하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 불순물 이온은 10keV 내지 30keV의 가속 에너지를 갖는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 전극은 100㎛ 내지 700㎛의 폭을 갖고 있는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 전극은 은(Ag), 구리(Cu), 또는 알루미늄(Al)으로 이루어져 있는 태양 전지의 제조 방법
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제1 도전성 타입을 갖는 기판,상기 기판의 제1 면 쪽에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖고 면저항값이 서로 상이한 제1 에미터 부분과 제2 에미터 부분을 구비한 에미터부,상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치하고, 제2 에미터 부분과 연결되어 있는 제1 전극, 상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치한 상기 기판의 제2 면 위에 위치하고, 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 교차하는 방향으로 이어지며 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제1 버스바를 포함하고,상기 제2 에미터 부분의 폭은 150㎛ 내지 250㎛이고, 상기 제2 에미터 부분은 상기 제1 전극과 평행한 방향으로 길게 이어지며 서로 이격되는 복수의 제2 에미터 부분을 포함하고, 상기 제1 버스바에서 상기 제1 전극과 교차하는 상기 제1 버스바의 부분은 상기 제2 에미터 부분과 연결되고 상기 제1 전극과 교차하지 않는 상기 제1 버스바의 나머지 부분은 상기 제1 에미터 부분과 접촉하여, 상기 제1 버스바의 길이 방향에서 상기 제1 에미터 부분과 상기 제2 에미터 부분이 교번하여 상기 제1 버스바에 연결되는 태양 전지
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제10항에서,상기 제2 에미터 부분의 폭 대 상기 제1 전극의 폭의 비율은 1:0
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탄소 재질로 구성된 본체 위로 형성된 복수의 개구부를 포함하여, 상기 복수의 개구부를 통해 선택적으로 이온을 주입하는 장치용 마스크에 관한 것으로,상기 이온이 주입되는 방향의 상기 본체 위로 상기 복수의 개구부 각각을 둘러싼 영역에 국부적으로 형성되고, 소정높이를 가지며 이온 주입 시 이온 경로를 변경하는 전압이 인가되는 금속 전극,을 포함한 이온 주입 장치용 마스크
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제15항에서,상기 금속 전극은 100㎛ 내지 700㎛의 폭을 갖고 있는 이온 주입 장치용 마스크
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제15항에서,상기 금속 전극은 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어져 있는 이온 주입 장치용 마스크
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