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유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015067089
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 유기 발광 소자는 유기 발광층에서 방사된 빛의 내부 광추출 효율을 증가시키는 요철층 및 상기 요철층에 복수로 적층되는 평탄층을 포함함으로써, 광추출 효율을 증가시키는 동시에 누설 전류를 방지하고 높은 신뢰성을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01) H01L 51/5268(2013.01)
출원번호/일자 1020120005620 (2012.01.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1289844-0000 (2013.07.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조두희 대한민국 대전 유성구
2 신진욱 대한민국 인천 남동구
3 이정익 대한민국 경기 군포시 수리산로 ***, *
4 추혜용 대한민국 대전 유성구
5 한준한 대한민국 대전 유성구
6 황주현 대한민국 서울 양천구
7 박승구 대한민국 대전 서구
8 문제현 대한민국 대전 유성구
9 조남성 대한민국 대전광역시 유성구
10 허진우 대한민국 대전광역시 서구
11 주철웅 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0046522-95
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0446408-69
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0467132-00
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0025517-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0318473-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0554986-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0554988-18
9 등록결정서
Decision to grant
2013.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0491908-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 제1 전극;상기 제1 전극 상의 제2 전극;상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 유기 발광층;상기 기판과 상기 제1 전극 사이의 요철층; 및상기 요철층과 상기 제1 전극 사이의 평탄층을 포함하되,상기 평탄층은:상기 요철층 상의 제1 평탄층; 및상기 제1 평탄층과 상기 제1 전극 사이의 제2 평탄층을 포함하고,상기 제2 평탄층의 표면 거칠기는 상기 제1 평탄층의 표면 거칠기와 같거나 그보다 작은 유기 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제2 평탄층의 굴절률은 상기 제1 평탄층의 굴절률과 동일하거나, 그보다 작은 유기 발광 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제1 평탄층 및 상기 제2 평탄층의 굴절률은 1
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 평탄층의 표면 거칠기는 10nm 내지 50nm이고,상기 제2 평탄층의 표면 거칠기는 10nm 이하인 유기 발광 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1 평탄층은 입자의 평균 크기가 10nm 내지 50nm인 무기물 콜로이드 졸을 도포한 후 건조시켜 형성되는 유기 발광 소자
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제1 평탄층의 굴절률은 1
7 7
제 4 항에 있어서,상기 제1 평탄층은 금속 산화물, 금속 황화물 및 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속 산화물은 TiO2, ZnO, SnO2, In2O3, In2O3-SnO2 중 적어도 하나를 포함하고,상기 금속 황화물은 ZnS를 포함하고,상기 금속 질화물은 silicon nitride를 포함하는 유기 발광 소자
9 9
제 4 항에 있어서,상기 제2 평탄층은 입자의 평균 크기가 10nm 이하인 다결정질 물질 또는 비정질 물질로 구성된 유기 발광 소자
10 10
제 4 항에 있어서,상기 제2 평탄층은 무기물 콜로이드 졸, 폴리머-금속 산화물로 구성되는 유무기 하이브리드 용액, 무기물 콜로이드 입자와 유기물이 혼합된 복합 용액 중 적어도 하나를 도포한 후 건조시켜 형성되는 유기 발광 소자
11 11
제 4 항에 있어서,상기 제2 평탄층은 금속 산화물, 금속 황화물, 금속 질화물, 유무기 하이브리드 물질 및 나노 복합체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 물질은 상기 금속 산화물에 유기 물질로서 폴리 비닐 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 이미드 수지, 폴리 스틸렌 수지, 폴리 카보네이트 수지, 폴리 에틸렌 수지, PMMA 수지, 폴리 프로필렌 수지, 실리콘 수지 중 적어도 하나가 결합된 것인 유기 발광 소자
13 13
제 11 항에 있어서,상기 나노 복합체는 입자의 평균 크기가 10nm 이하인 금속 산화물이 유기 물질에 분산된 것이고,상기 유기 물질은 폴리 비닐 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리 이미드 수지, 폴리 스틸렌 수지, 폴리 카보네이트 수지, 폴리 에틸렌 수지, PMMA 수지, 폴리 프로필렌 수지, 및 실리콘 수지 중 적어도 하나인 유기 발광 소자
14 14
제 11 항에 있어서,상기 금속 산화물은 TiO2, ZnO, SnO2, In2O3, In2O3-SnO2 중 적어도 하나를 포함하고,상기 금속 황화물은 ZnS를 포함하고,상기 금속 질화물은 silicon nitride를 포함하는 유기 발광 소자
15 15
제 1 항에 있어서,상기 요철층의 굴절률은 1
16 16
제 1 항에 있어서,상기 제1 전극의 굴절률은 1
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09147856 US 미국 FAMILY
2 US20130181195 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013181195 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9147856 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.