맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015067109
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 실리콘 반도체를 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 핵 생성층; 상기 핵 생성층 상에 위치하고, 적어도 두 층 이상으로 이루어진 버퍼층과 적어도 한 층 이상의 삽입층을 포함하는 결함완화층; 상기 결함완화층 상에 위치하며, 상부에 2DEG 층을 포함하는 질화물계 반도체 채널층; 상기 채널층 상에 위치하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 위치하는 소스 및 드레인 전극; 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 29/778 (2012.02.28) H01L 21/335 (2012.02.28)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020120003836 (2012.01.12)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0083198 (2013.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.12)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김재무 대한민국 서울 서초구
2 장태훈 대한민국 서울 서초구
3 황의진 대한민국 서울 서초구
4 조성무 대한민국 서울 서초구
5 김광중 대한민국 서울 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 방해철 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0031156-36
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1163420-06
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0038482-07
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0192123-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0497152-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0497153-13
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0662044-18
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.10.29 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2018-1067950-01
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1067951-46
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0818016-10
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0818015-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 반도체를 포함하는 기판;상기 기판 상에 위치하는 핵 생성층;상기 핵 생성층 상에 위치하고, 적어도 두 층 이상으로 이루어진 버퍼층과 적어도 한 층 이상의 삽입층을 포함하는 결함완화층;상기 결함완화층 상에 위치하며, 상부에 2DEG 층을 포함하는 질화물계 반도체 채널층;상기 채널층 상에 위치하는 장벽층;상기 장벽층 상에 위치하는 소스 및 드레인 전극; 및상기 소스 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 삽입층은 상기 두 층 이상의 버퍼층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 삽입층은, 상기 결함완화층과 채널층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층 중 적어도 어느 하나는 AlGaN 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
5 5
제 4항에 있어서, 상기 버퍼층의 Al 성분은 Ga 대비 50% 이상(AlxGa1-xN, x ≥ 0
6 6
제 5항에 있어서, 상기 Al 성분은 상기 채널층에 가까운 버퍼층으로 갈수록 단계적으로 또는 연속적으로 적어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
7 7
제 4항에 있어서, 상기 채널층에 가까운 버퍼층으로 갈수록 두께가 단계적으로 또는 연속적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 핵 생성층은 AlN 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 장벽층 상에는 캡층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
10 10
제 1항에 있어서, 상기 삽입층의 두께는 1 내지 10 nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.