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유기 발광 소자 및 유기 발광 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015067197
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 유기 발광 소자는 빛을 방사하는 유기 발광층 및 상기 방사된 빛의 광추출 효율을 향상시키도록 적층되는 복수의 나노 요철층을 포함함으로써, 광추출 효율을 개선할 수 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020120007478 (2012.01.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1339440-0000 (2013.12.03)
공개번호/일자 10-2013-0086665 (2013.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신진욱 대한민국 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원] 특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0062589-18
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0446408-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080201-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0342368-06
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0633294-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0633295-62
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0813810-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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기판에 제1 고굴절 매질층을 적층하는 단계;상기 제1 고굴절 매질층에 제1 금속막을 적층하는 단계;상기 제1 금속막을 열처리함으로써 비젖음(dewetting) 현상에 의해 제1 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 고굴절 매질층에서 상기 제1 나노 패턴에 의해 노출된 부분을 식각하여 제1 나노 요철층을 형성하는 단계;상기 제1 나노 패턴을 제거하는 단계;상기 제1 나노 요철층에 제1 평탄층을 적층하는 단계;상기 제1 평탄층에 제2 고굴절 매질층을 적층하는 단계;상기 제2 고굴절 매질층에 제2 금속막을 적층하는 단계;상기 제2 금속막을 열처리함으로써 비젖음(dewetting) 현상에 의해 제2 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 고굴절 매질층에서 상기 제2 나노 패턴에 의해 노출된 부분을 식각하여 제2 나노 요철층을 형성하는 단계;상기 제2 나노 패턴을 제거하는 단계; 및상기 제2 나노 요철층에 제2 평탄층을 적층하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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기판에 제1 나노 요철층을 적층하는 단계;상기 제1 나노 요철층에 제1 평탄층을 적층하는 단계;상기 제1 평탄층을 식각하여 제2 나노 요철층을 형성하는 단계; 및상기 제2 나노 요철층에 제2 평탄층을 적층하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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기판에 제1 고굴절 매질층을 적층하는 단계;상기 제1 고굴절 매질층에 제1 금속막을 적층하는 단계;상기 제1 금속막을 열처리함으로써 비젖음(dewetting) 현상에 의해 제1 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 고굴절 매질층에서 상기 제1 나노 패턴에 의해 노출된 부분을 식각하여 제1 나노 요철층을 형성하는 단계;상기 제1 나노 패턴을 제거하는 단계;상기 제1 나노 요철층에 제1 평탄층을 적층하는 단계;상기 제1 평탄층에 제2 금속막을 적층하는 단계;상기 제2 금속막을 열처리함으로써 비젖음(dewetting) 현상에 의해 제2 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 평탄층에서 상기 제2 나노 패턴에 의해 노출된 부분을 식각하여 제2 나노 요철층을 형성하는 단계;상기 제2 나노 패턴을 제거하는 단계; 및상기 제2 나노 요철층에 제2 평탄층을 적층하는 단계;를 포함하는 유기 발광 소자 제조 방법
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1 US20130193416 US 미국 FAMILY
2 US20150132876 US 미국 FAMILY

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2 US2015132876 US 미국 DOCDBFAMILY
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