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태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015067207
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요약 본 발명은 태양 전지의 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 태양 전지의 제조 방법의 한 예는 제1 도전성 타입을 갖는 기판을 제1 챔버에 위치시키는 단계, 상기 기판의 제1 면의 제1 부분을 드러내는 제1 부분을 구비한 제1 개구부가 형성된 제1 마스크를 상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치시키는 단계, 상기 제1 마스크가 위치한 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 제1 불순물 이온을 주입하여 상기 기판의 상기 제1 면의 상기 제1 부분에 제1 불순물부를 형성하는 단계, 상기 제1 마스크를 제거하는 단계, 상기 제1 불순물부를 구비한 상기 기판을 상기 제2 챔버에 위치시키는 단계, 상기 기판의 상기 제1 면의 제2 부분을 드러내는 제1 부분을 구비한 제2 개구부가 형성된 제2 마스크를 상기 기판의 상기 제1 면 위에 위치시키는 단계, 상기 제2 마스크가 위치한 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 상기 제1 도전성 타입을 갖는 제2 불순물 이온을 주입하여 상기 기판의 상기 제1 면의 상기 제2 부분에 제2 불순물부를 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 불순물부를 구비한 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 불순물부를 활성화시켜, 제1 불순물부를 에미터부로 형성하고 제2 불순물부를 전계부로 형성하는 단계, 그리고 상기 에미터부와 연결된 제1 전극과 상기 전계부에 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기판의 상기 제1 부분은 상기 기판의 상기 제2 부분과 상이하고, 상기 제1 개구부의 상기 제1 부분의 폭과 상기 에미터부의 폭의 비와 상기 제2 개구부의 상기 제1 부분의 폭과 상기 전계부의 폭의 비 중 하나는 0.7 내지 1: 1이고, 상기 제1 개구부의 상기 제1 부분의 폭과 상기 에미터부의 폭의 비와 상기 제2 개구부의 상기 제1 부분의 폭과 상기 전계부의 폭의 비 중 다른 하나 0.15 내지 0.35: 1이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/1876(2013.01) H01L 31/1876(2013.01) H01L 31/1876(2013.01) H01L 31/1876(2013.01) H01L 31/1876(2013.01)
출원번호/일자 1020120011861 (2012.02.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0090606 (2013.08.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기원 대한민국 서울 서초구
2 진윤실 대한민국 서울 서초구
3 김화년 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0095699-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0837636-71
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0024570-69
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0120637-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0373007-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0373006-12
9 등록결정서
Decision to grant
2017.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0602345-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입을 갖는 기판을 제1 챔버에 위치시키는 단계,상기 기판의 제1 면 중 제1 영역을 드러내는 제1 부분을 구비한 제1 개구부가 형성된 제1 마스크를 상기 기판의 제1 면 위에 위치시키는 단계,상기 제1 마스크가 위치한 상기 기판의 제1 면 쪽에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 제1 불순물 이온을 주입하여 상기 기판의 상기 제1 면의 상기 제1 영역에 제1 불순물부를 형성하는 단계,상기 제1 마스크를 제거하는 단계,상기 제1 불순물부를 구비한 상기 기판을 제2 챔버에 위치시키는 단계,상기 기판의 제1 면 중 제2 영역을 드러내는 제1 부분을 구비한 제2 개구부가 형성된 제2 마스크를 상기 기판의 제1 면 위에 위치시키는 단계,상기 제2 마스크가 위치한 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 상기 제1 도전성 타입을 갖는 제2 불순물 이온을 주입하여 상기 기판의 제1 면 중 제2 영역에 제2 불순물부를 형성하는 단계,상기 제1 및 제2 불순물부를 구비한 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 불순물부를 활성화시켜, 제1 불순물부를 에미터부로 형성하고 제2 불순물부를 전계부로 형성하는 단계, 그리고상기 에미터부와 연결된 제1 전극과 상기 전계부에 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 기판의 상기 제1 영역은 상기 기판의 제2 영역과 상이하고,상기 제1 개구부의 제1 부분의 폭과 상기 에미터부의 폭의 비, 그리고 상기 제2 개구부의 제1 부분의 폭과 상기 전계부의 폭의 비 중 하나는 0
2 2
제1항에서,상기 제1 개구부는 상기 기판의 제1 면 중 제3 영역을 드러내는 제2 부분을 더 구비하고 있고,상기 제2 개구부는 상기 기판의 제1 면 중의 제4 영역을 드러내는 제2 부분을 더 구비하고 있으며,상기 제1 불순물부 형성 단계는 상기 기판의 제3 영역에 상기 제1 불순물 이온을 주입하여, 상기 제1 불순물부는 상기 기판의 제3 영역에 더 형성되고,상기 제2 불순물부 형성 단계는 상기 기판의 제4 영역에 상기 제2 불순물 이온을 주입하여 상기 제2 불순물부는 상기 기판의 상기 제4 영역에 더 형성되고,상기 에미터부 및 전계부 형성 단계에서, 상기 에미터부는 상기 기판의 제3 영역에 더 형성되고, 상기 전계부는 상기 기판의 제4 영역에 더 형성되고,상기 제1 및 제2 전극 형성 단계는 상기 기판의 제3 영역에 형성된 에미터부와 연결된 제1 버스바와 상기 기판의 제4 영역에 형성된 전계부와 연결된 제2 버스바를 추가로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 제1 개구부의 제2 부분의 폭은 상기 제2 개구부의 제2 부분의 폭과 상이한 태양 전지의 제조 방법
4 4
제3항에서,상기 제1 개구부의 제2 부분의 폭과 상기 에미터부의 폭의 비, 그리고 상기 제2 개구부의 제2 부분의 폭과 상기 전계부의 폭의 비 중 하나는 0
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,상기 제1 도전성 타입은 n형이고, 상기 제2 도전성 타입은 p형인 태양 전지의 제조 방법
6 6
제5항에서,상기 제1 개구부의 제1 부분의 폭에 대한 상기 에미터부의 폭의 비는 0
7 7
제5항에서,상기 제1 개구부의 제2 부분의 폭에 대한 상기 에미터부의 폭의 비는 0
8 8
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,상기 제1 도전성 타입은 p형이고, 상기 제2 도전성 타입은 n형인 태양 전지의 제조 방법
9 9
제8항에서,상기 제1 개구부의 제1 부분의 폭에 대한 상기 에미터부의 폭의 비는 0
10 10
제8항에서,상기 제1 개구부의 제2 부분의 폭에 대한 상기 에미터부의 폭의 비는 0
11 11
제1항에서,상기 에미터부의 폭은 600㎛ 내지 800㎛이고, 상기 전계부의 폭은 200㎛ 내지 400㎛인 태양 전지의 제조 방법
12 12
제1항에서,상기 제1 개구부의 제1 부분의 폭은 상기 제2 개구부의 상기 제1 부분의 폭과 상이한 태양 전지의 제조 방법
13 13
제1항에서,상기 제1 및 제2 불순물부 활성화 단계는 950℃ 내지 1100℃의 온도에서 행해지는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제1항에서,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 제1 보호부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제14항에서,상기 제1 보호부 위에 반사 방지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.