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기판;상기 기판의 상부에 배치되는 제 1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 제 2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되며, p형 반도체층과 i형 반도체층 및 n형 반도체층을 포함하는 제1 광전 변환층을 구비하는 광전 변환부를 포함하고,상기 제1 광전 변환층의 상기 p형 반도체층과 상기 i형 반도체층은 각각 비정질 실리콘(a-Si)을 함유하고,상기 제1 광전 변환층의 상기 n형 반도체층은,상기 i형 반도체층과 직접 접촉하며, 상기 i형 반도체층에 함유된 실리콘 물질과 동일한 실리콘 물질인 비정질 실리콘(a-Si)을 함유하는 제1 도핑층과,상기 제1 도핑층과 직접 접촉하며, 상기 i형 반도체층 및 상기 제1 도핑층에 각각 함유된 실리콘 물질과는 다른 실리콘 물질인 미세 결정 실리콘(mc-Si)을 함유하는 제2 도핑층과,상기 제2 도핑층과 직접 접촉하며, 상기 제2 도핑층에 함유된 실리콘 물질과 동일한 실리콘 물질인 미세 결정 실리콘과 산소(O)를 함유하는 미세 결정 실리콘 산화물(mc-SiOx)을 함유하는 제3 도핑층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 도핑층의 두께는 제2 도핑층 및 제3 도핑층의 두께보다 각각 작은 박막 태양 전지
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제 2 항에 있어서,제3 도핑층의 두께는 제2 도핑층의 두께와 동일하거나 더 두꺼운 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제2 도핑층 및 제3 도핑층의 결정화도는 각각 5% 이상인 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제3 도핑층의 산소(O) 함유량은 45 at% ~ 65 at% 사이인 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층에 포함되는 상기 p형 반도체층, i형 반도체층 및 n형 반도체층은 상기 제1 전극으로부터 순서대로 배치되는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 제1 도핑층, 상기 제2 도핑층, 및 상기 제3 도핑층은 상기 제1 광전 변환층의 i형 반도체층으로부터 순서대로 배치되는 박막 태양 전지
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제3 도핑층과 상기 제2 전극 사이에는 입사된 빛을 상기 i형 반도체층 방향으로 반사하는 후면 반사층을 더 포함하는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 상기 제1 광전 변환층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 광전 변환층을 더 포함하고,상기 제2 광전 변환층의 p-i-n 형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)을 포함하는 박막 태양 전지
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제 10 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층의 상기 제3 도핑층과 상기 제2 광전 변환층의 상기 p형 반도체층 사이에는 입사된 빛을 상기 제1 광전 변환층의 상기 i형 반도체층 방향으로 반사하는 중간 반사층이 더 배치되고,상기 중간 반사층은 알루미늄 아연 산화물(aluminum-zinc-oxide;AZO) 또는 붕소 아연 산화물(boron-zinc-oxide;BZO) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 태양 전지
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제 10 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층의 상기 제3 도핑층과 상기 제2 광전 변환층의 상기 p형 반도체층 사이에는 상기 제2 도핑층이 더 배치되는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 상기 제1 광전 변환층과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 제2 광전 변환층 및 상기 제1 광전 변환층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제3 광전 변환층을 더 포함하고,상기 제2 광전 변환층의 p-i-n 형 반도체층 중 p형 반도체층 및 i형 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si)을 포함하고,상기 제3 광전 변환층의 p-i-n 형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)을 포함하는 박막 태양 전지
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[청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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[청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 13 항에 있어서,상기 제1 광전 변환층의 상기 제3 도핑층과 상기 제3 광전 변환층의 상기 p형 반도체층 사이에는 상기 제2 도핑층이 더 배치되는 박막 태양 전지
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제 1 항에 있어서,상기 광전 변환부는 상기 제1 광전 변환층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제2 광전 변환층 및 상기 제2 광전 변환층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 제3 광전 변환층을 더 포함하고,상기 제2 광전 변환층의 p-i-n 형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)을 포함하고,상기 제3 광전 변환층의 p-i-n 형 반도체층은 미세 결정 실리콘(mc-Si)을 포함하는 박막 태양 전지
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