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기판과, 상기 기판에 형성된 금속 전극을 포함하는 복수의 LED(Light Emitting Diode) 소자들;상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결되는 복수의 TFT(Thin Film Transistor)들을 포함하는 TFT부;상기 LED 소자들 각각을 수용하도록 복수의 수용부를 구비하며, 상기 TFT부에 형성된 블랙 매트릭스; 및상기 LED 소자들과 함께 상기 블랙 매트릭스를 덮도록 형성된 형광체층을 포함하는 LED 디스플레이 장치
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제 1 항에 있어서,상기 블랙 매트릭스에 구비된 상기 복수의 수용부 각각에 수용되는 투명 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
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제 1 항에 있어서,상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 상기 TFT들은 옴 접촉(Ohmic contact)하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
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제 1 항에 있어서,상기 형광체층에 형성된 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
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제 4 항에 있어서,상기 컬러 필터는,상기 형광체층에 형성된 투명 필름 또는 투명 접착제; 및상기 투명 필름 또는 상기 투명 접착제 상에 형성된 RGB(Red/Green/Blue) 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판은,유리 기판 또는 폴리머(polymer) 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치
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금속 전극을 각각 포함하는 복수의 LED 소자들을 제조하는 단계;TFT부에 포함된 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극에 연결하는 단계;상기 LED 소자들 각각을 수용하도록 복수의 수용부를 구비하는 블랙 매트릭스를 상기 TFT부에 주입하는 단계; 및상기 LED 소자들과 함께 상기 블랙 매트릭스를 덮도록 형광체층을 도포하는 단계를 포함하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 복수의 LED 소자들을 제조하는 단계는,기판에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 투명 전극에 에피택셜층을 형성하는 단계; 및상기 에피택셜층에 상기 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 블랙 매트릭스에 구비된 상기 복수의 수용부 각각에 투명 절연체를 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 연결하는 단계는,상기 복수의 TFT들을 상기 LED 소자들 각각에 포함된 상기 금속 전극과 옴 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 형광체층에 컬러 필터를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 디스플레이 장치의 제조 방법
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