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태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015067287
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요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것이다. 상기 태양 전지의 한 예는 제1 도전성 타입을 갖는 기판, 상기 기판에 위치하고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부, 상기 에미터부 위에 위치하고, 상기 에미터부를 드러내는 제1 개구부 및 상기 에미터부를 드러내고 서로 이격된 복수의 제2 개구부를 구비한 반사 방지부, 상기 제1 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 제1 부분 위에 위치하고, 상기 에미터부의 상기 제1 부분과 연결되어 있는 제1 전극, 상기 복수의 제2 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 제2 부분 위에 위치하고, 상기 에미터부의 상기 제2 부분 및 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제1 버스바, 그리고 상기 기판에 위치하여 상기 기판에 연결되어 있는 제2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120018329 (2012.02.23)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0096822 (2013.09.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.29)
심사청구항수 33

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영현 대한민국 서울 서초구
2 남희진 대한민국 서울 서초구
3 진윤실 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0146819-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0838413-75
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0048237-21
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0246844-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0526294-88
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0526293-32
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0750936-82
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0053015-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입을 갖는 기판,상기 기판에 위치하고 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부,상기 에미터부 위에 위치하고, 상기 에미터부를 드러내는 제1 개구부 및 상기 에미터부를 드러내고 서로 이격된 복수의 제2 개구부를 구비한 반사 방지부,상기 제1 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 제1 부분 위에 위치하고, 상기 에미터부의 상기 제1 부분과 연결되어 있는 제1 전극,상기 복수의 제2 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 제2 부분 위에 위치하고, 상기 에미터부의 상기 제2 부분 및 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제1 버스바, 그리고 상기 기판에 위치하여 상기 기판에 연결되어 있는 제2 전극을 포함하는 태양 전지
2 2
제1항에서,상기 복수의 제2 개구부의 개수는 30개 내지 70개인 태양 전지
3 3
제1항에서,상기 반사 방지부의 제1 버스바 형성 영역의 폭에 대해 그 하부에 위치한 상기 복수의 제2 개구부의 총 폭의 비율이 1: 0
4 4
제1항에서,상기 복수의 제2 개구부에서 인접한 제2 개구부 간의 간격은 동일한 태양 전지
5 5
제1항에서,상기 복수의 제2 개구부에서 인접한 제2 개구부 간의 간격은 상이한 태양 전지
6 6
제5항에서,상기 반사 방지부는 상기 복수의 제2 개구부가 형성된 제1 버스바 형성 영역을 포함하고,상기 제1 버스바는 상기 제1 버스바 형성 영역에 위치하고,상기 제1 버스바 형성 영역에서, 상기 제1 버스바 형성 영역의 가운데 부분에 위치한 인접한 제2 개구부 간의 간격은 상기 제1 버스바 형성 영역의 가장자리 부분에 위치한 인접한 제2 개구부 간의 간격보다 큰 태양 전지
7 7
제6항에서,상기 제1 버스바 형성 영역의 가운데 부분에 위치한 인접한 두 제2 개구부 간의 간격은 상기 제1 버스바 형성 영역의 가장자리 부분에 위치한 인접한 두 제2 개구부 간의 간격에 비해 1
8 8
제3항 또는 제4항에서,인접한 상기 두 제2 개구부의 간격은 15㎛ 내지 30㎛인 태양 전지
9 9
제1항에서,상기 제1 버스바는 상기 복수의 제2 개구부의 사이에 위치한 반사 방지부 위에 추가로 위치하는 태양 전지
10 10
제1항 또는 제9항에서,상기 제1 버스바의 상부면은 곡면인 태양 전지
11 11
제10항에서,상기 반사 방지부 위에 위치한 상기 제1 버스바의 높이는 상기 제2 개구부를 통해 노출된 상기 에미터부의 제2 부분 위에 위치한 상기 제1 버스바의 높이보다 낮은 태양 전지
12 12
제10항에서,상기 제1 버스바의 가장 자리 부분의 높이는 상기 제1 버스바의 가운데 부분의 높이보다 높은 태양 전지
13 13
제1항에서,상기 제1 개구부는 상기 제1 전극 하부에서 제1 방향으로 뻗어 있고,상기 복수의 제2 개구부 각각은 상기 제1 버스바 하부에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 뻗어 있는 태양 전지
14 14
제1항에서,상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 중 적어도 하나의 측면은 평탄면인 태양 전지
15 15
제1항에서,상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부 중 적어도 하나의 측면은 요철면인 태양 전지
16 16
제1항에서,상기 에미터부는 제1 면저항값을 갖는 제1 에미터 부분과 상기 제1 면저항값보다 작은 제2 면저항값을 갖는 제2 에미터 부분을 포함하는 태양 전지
17 17
제16항에서,상기 제2 에미터 부분은 상기 제1 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 상기 제1 부분과 상기 복수의 제2 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 상기 제2 부분에 위치하는 태양 전지
18 18
제17항에서,상기 제2 에미터 부분의 폭은 상기 제1 개구부의 폭 및 상기 복수의 제2 개구부 각각의 폭과 동일한 태양 전지
19 19
제17항에서,상기 제1 개구부를 통해 드러난 상기 에미터부의 상기 제1 부분에 형성된 제2 에미터 부분의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 작은 태양 전지
20 20
제17항에서,상기 반사 방지부는 상기 복수의 제2 개구부가 형성된 제1 버스바 형성 영역을 포함하고, 상기 제1 버스바는 상기 제1 버스바 형성 영역에 위치하고, 상기 제1 버스바 형성 영역에서, 상기 제1 버스바 형성 영역의 폭보다 상기 제1 버스바의 폭이 더 큰 태양 전지
21 21
제1항에서,상기 기판에 위치하고 상기 제2 전극의 하부에 위치한 상기 기판에 위치하여 상기 기판과 연결되어 있고 상기 제1 도전성 타입을 갖는 전계부를 더 포함하는 태양 전지
22 22
제21항에서,상기 전계부 위에 위치하고 상기 전계부의 제1 부분을 드러내는 제3 개구부를 구비하는 보호부를 더 포함하고,상기 제2 전극은 상기 제3 개구부를 통해 드러난 상기 전계부의 상기 제1 부분 위에 위치하여 상기 전계부와 연결되어 있는 태양 전지
23 23
제22항에서,상기 보호부는 상기 전계부의 상기 제1 부분과 다른 상기 전계부의 제2 부분에 서로 이격되게 위치한 복수의 제4 개구부를 더 구비하고, 상기 태양 전지는 상기 복수의 제4 개구부를 통해 드러난 상기 전계부의 상기 제2 부분 위에 위치하고 상기 제2 전극과 연결되어 있는 제2 버스바를 더 구비하는태양 전지
24 24
제23항에서,상기 복수의 제4 개구부의 개수는 30개 내지 70개인 태양 전지
25 25
제23항에서,상기 보호부의 제2 버스바 형성 영역의 폭에 대해 그 하부에 위치한 상기 복수의 제4 개구부의 총 폭의 비율이 1: 0
26 26
제23항에서,상기 복수의 제4 개구부에서 인접한 제4 개구부 간의 간격은 상이한 태양 전지
27 27
제20항에서,상기 제2 버스바는 상기 복수의 제2 개구부 사이에 위치한 보호부 위에 추가로 위치하는 태양 전지
28 28
제1 도전성 타입을 갖는 반도체 기판의 제1 면에 상기 제1 도전성 타입 또는 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 불순물을 도핑하여 불순물부를 형성하는 단계,상기 불순물부 위에 보호부를 형성하는 단계,상기 보호부 위에 레이저 빔을 선택적으로 조사하여, 상기 보호부에 상기 불순물부의 제1 부분을 드러내는 제1 개구부와 상기 제1 개구부와 이격되어 있고 상기 불순물부의 제2 부분을 드러내는 복수의 제2 개구부를 형성하는 단계, 그리고상기 제1 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 상기 제1 부분 위에 전극을 형성하고, 상기 복수의 제2 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 상기 제2 부분 위에 상기 전극과 연결되는 버스바를 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
29 29
제28항에서,상기 제1 개구부의 폭과 상기 제2 개구부의 폭은 동일한 태양 전지의 제조 방법
30 30
제28항에서,상기 복수의 제2 개구부에서 인접한 두 제2 개구부 간의 간격은 동일한 태양 전지의 제조 방법
31 31
제28항에서,상기 복수의 제2 개구부에서 인접한 두 제2 개구부 간의 간격은 상이한 태양 전지의 제조 방법
32 32
제30항 또는 제31항에서,인접한 상기 두 제2 개구부의 간격은 15㎛ 내지 30㎛인 태양 전지의 제조 방법
33 33
제28항에서,상기 전극과 상기 버스바는 도금법을 이용하여 동시에 형성되는 태양 전지의 제조 방법
34 34
제28항에서,상기 보호부 위에 상기 불순물부와 동일한 도전성 타입을 갖는 불순물막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 레이저 빔은 상기 불순물막 위에 선택적으로 조사되고,상기 보호부 하부에 위치한 상기 불순물부의 부분은 제1 면저항값을 갖는 제1 불순물 부분이 되고, 상기 제1 개구부와 상기 복수의 제2 개구부를 통해 드러난 상기 불순물부의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 상기 제1 면저항값보다 작은 제2 면저항값을 갖는 제2 불순물 부분이 되는태양 전지의 제조 방법
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