맞춤기술찾기

이전대상기술

과충전 방지 회로

  • 기술번호 : KST2015067290
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차전지의 과충전을 방지하는 과충전 방지 회로를 개시한다. 본 발명에 따른 과충전 방지 회로는, 이차전지가 과충전 되었을 때 충전부로부터 이차전지에 유입되는 충전 전류 중 적어도 일부를 우회 회로부로 흘려줌으로써 상기 이차전지의 과충전을 방지하는 회로로서, 상기 우회 회로부는, 상기 이차전지와 병렬로 연결되며 이차전지의 충전 전압이 임계 값(Vmax) 이상이 되면 통전 화학반응을 일으키는 화학적 스위칭 소자를 포함한다. 본 발명에 따르면, 이차전지의 충전 전압이 소정의 전압 이상이 되는 경우 충전 전원으로부터 이차전지에 공급되는 충전 전류의 전부 또는 일부를 우회시킴으로써 이차전지를 과충전으로부터 보호할 수 있다.
Int. CL H01M 10/46 (2006.01) H02J 7/00 (2006.01)
CPC H02J 7/00(2013.01) H02J 7/00(2013.01) H02J 7/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120011429 (2012.02.03)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1603626-0000 (2016.03.09)
공개번호/일자 10-2013-0090255 (2013.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20160315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.06)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강옥균 대한민국 서울특별시 노원구
2 양정훈 대한민국 대전광역시 대덕구
3 최승돈 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤난지 대한민국 대전광역시 유성구
5 권대홍 대한민국 대전광역시 서구
6 강진아 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0092656-16
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0744236-94
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0016010-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0280397-56
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0603877-56
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0603878-02
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0738012-69
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.11.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1157003-18
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1156987-30
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0877412-90
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
이차전지가 과충전 되었을 때 충전부로부터 이차전지에 유입되는 충전 전류 중 적어도 일부를 우회 회로부로 흘려줌으로써 상기 이차전지의 과충전을 방지하는 과충전 방지 회로에 있어서,상기 우회 회로부는, 상기 이차전지와 병렬로 연결되고 이차전지의 충전 전압이 임계 값(Vmax) 이상이 되면 통전 화학반응을 일으키는 화학적 스위칭 소자; 및 상기 우회 회로부 상에서 화학적 스위칭 소자 및 이차전지와 직렬로 연결된 퓨즈부를 포함하고,상기 화학적 스위칭 소자는, 상기 이차전지의 일 단과 연결되는 제1 도전 플레이트; 상기 이차전지의 타 단과 연결되며 상기 제1 도전 플레이트와 이격된 제2 도전 플레이트; 상기 제1 도전 플레이트와 제2 도전 플레이트 사이에 개재되는 분리 막; 상기 제1 도전 플레이트 및 제2 도전 플레이트 사이에 충진되며 상기 이차전지의 충전 전압이 임계 값(Vmax) 이상이 되면 상기 통전 화학 반응을 일으켜 전도성을 갖는 가변 물질; 및 상기 제1 도전 플레이트 및 상기 제2 도전 플레이트를 수용하는 케이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 화학적 스위칭 소자는,상기 케이스 내에 충진되는 전해액을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
5 5
제1항에 있어서,상기 가변 물질은 할로겐기가 치환된 톨루엔(Halogenated toluene)인 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
6 6
제5항에 있어서,상기 가변 물질은 4-클로로톨루엔(4-chlorotoluene)인 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
7 7
제6항에 있어서,상기 임계 값(Vmax)은 4
8 8
제1항에 있어서,상기 가변 물질은 바이페닐(Biphenyl)인 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
9 9
제8항에 있어서,상기 임계 값(Vmax)은 4
10 10
제1항에 있어서,상기 가변 물질은 사이클로헥실 벤젠(Cyclohexyl benzene)인 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
11 11
제10항에 있어서,상기 임계 값(Vmax)은 4
12 12
제1항에 있어서,상기 화학적 스위칭 소자는 복수개이며,상기 복수개의 화학적 스위칭 소자는 서로 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
13 13
제1항에 있어서,상기 우회 회로부는,상기 화학적 스위칭 소자와 직렬로 연결되며 상기 이차전지와 병렬로 연결되는 적어도 하나의 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
14 14
삭제
15 15
삭제
16 16
제1항에 있어서,상기 퓨즈부는 상기 과충전 방지 회로상의 도선보다 낮은 용융점을 갖는 것을 특징으로 하는 과충전 방지 회로
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.