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제1 도전성 타입을 갖는 기판의 제1 면에 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부를 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 제1 보호막을 형성하는 단계, 제1 온도에서 상기 제1 보호막을 열처리한 후 제2 온도로 냉각하는 단계,상기 제1 보호막 위에 상기 제1 보호막을 드러내는 복수의 개구부를 구비한 제2 보호막을 형성하는 단계,상기 기판의 상기 제1 면 위에 제1 전극 패턴을 형성하는 단계,상기 제2 보호막 위 그리고 상기 복수의 개구부를 통해 노출된 상기 제1 보호막 위에 제2 전극 패턴을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 전극 패턴과 상기 제2 전극 패턴을 구비한 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 패턴에 의해 상기 에미터부와 연결된 복수의 제1 전극, 상기 복수의 개구부 내에 위치하는 상기 제2 전극 패턴에 의해 상기 제1 보호막이 식각되고 상기 제2 전극 패턴과 접하는 상기 기판의 상기 제2 면에 형성된 복수의 전계부 그리고 상기 복수의 개구부 내에서의 상기 제1 보호막의 식각에 의해 상기 복수의 전계부와 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에서,상기 제1 온도는 600℃ 내지 800℃이고, 상기 제2 온도는 상온인 태양 전지의 제조 방법
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제1 도전성 타입을 갖는 기판,상기 기판의 제1 면에 위치하고 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치한 상기 기판의 제2 면 위에 위치한 제1 보호막,상기 제1 보호막 위에 위치한 제2 보호막,상기 기판의 상기 제2 면에 선택적으로 위치하는 복수의 전계부,상기 기판의 상기 제1 면에 위치하고 상기 에미터부와 연결된 제1 전극, 그리고상기 기판의 상기 제2 면에 위치하고 상기 제2 보호막과 상기 제1 보호막을 관통하여 상기 복수의 전계부와 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,인접한 전계부간의 간격은 불규칙하고, 상기 복수의 전계부 간의 직경은 상이한태양 전지
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제9항에서,상기 복수의 전계부 각각은 5㎛ 내지 15㎛의 직경을 갖는 태양 전지
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제9항에서,상기 복수의 전계부는 상기 기판의 단위 면적당 30개/㎟ 내지 400개/㎟인 태양 전지
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제9항에서,상기 제1 보호막은 알루미늄 산화물로 이루어지고, 상기 제2 보호막은 실리콘 질화물로 이루어진 태양 전지
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제12항에서,상기 제1 보호막의 두께는 10㎚ 내지 50㎚인 태양 전지
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제12항에서,상기 제2 보호막의 두께는 30㎚ 내지 70㎚인 태양 전지
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제9항에서,상기 제1 도전성 타입은 p형이고 상기 제2 도전성 타입은 n형인 태양 전지
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제9항에서,상기 제2 전극은 상기 제2 보호막과 상기 제1 보호막을 관통하여 상기 복수의 전계부와 접해 있는 복수의 접촉부를 구비하여, 상기 복수의 접촉부를 통해 상기 복수의 전계부와 연결되어 있고,인접한 접촉부 간의 간격은 불규칙하고, 상기 복수의 접촉부의 직경은 상이한 태양 전지
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복수의 태양 전지,상기 복수의 태양 전지의 상부와 하부에 위치하여 상기 복수의 태양 전지를 보호하는 보호 부재, 그리고 상기 보호 부재 위에 위치한 투명 부재를 포함하고,상기 복수의 태양 전지는 각각 제1 도전성 타입을 갖는 기판, 상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부, 상기 기판 위에 위치한 제1 보호막, 상기 제1 보호막 위에 위치한 제2 보호막, 상기 기판의 면에 선택적으로 위치하는 복수의 전계부, 상기 기판 위에 위치하고 상기 에미터부와 연결된 제1 전극, 그리고 상기 기판 위에 위치하고 상기 제2 보호막과 상기 제1 보호막을 관통하여 상기 복수의 전계부와 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 인접한 전계부간의 간격은 불규칙하고, 상기 복수의 전계부 간의 직경은 상이한태양 전지 모듈
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