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이온 주입장치

  • 기술번호 : KST2015067329
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요약 본 발명의 실시예에 따른 이온 주입장치는 공정 챔버; 공정 챔버의 내부에 위치하는 제1 플래튼(platen) 및 제2 플래튼; 제1 플래튼 및 제2 플래튼에 각각 고정된 마스크; 제1 플래튼 및 제2 플래튼 중 적어도 하나의 플래튼에 배치된 기판의 일면에 이온을 주입하는 이온 주입부; 및 제1 플래튼 및 상기 제2 플래튼의 상부에 각각 위치하며, 이온 주입 공정이 완료된 기판 위에 배치된 마스크와 접촉하여 상기 마스크를 냉각하는 냉각판을 포함한다.
Int. CL H01J 37/317 (2006.01.01) H01J 37/30 (2006.01.01)
CPC H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01) H01J 37/3171(2013.01)
출원번호/일자 1020120011753 (2012.02.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1958821-0000 (2019.03.11)
공개번호/일자 10-2013-0090539 (2013.08.14) 문서열기
공고번호/일자 (20190702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.06)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전종진 대한민국 서울 서초구
2 이제형 대한민국 서울 서초구
3 임유봉 대한민국 서울 서초구
4 김대일 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0094890-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0120758-50
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0039036-85
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0179064-24
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0407680-20
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0407681-76
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0527188-06
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0966765-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0966766-69
12 등록결정서
Decision to grant
2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0872774-44
13 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5017689-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 위치하는 제1 플래튼(platen) 및 제2 플래튼;상기 제1 플래튼 및 상기 제2 플래튼에 각각 고정된 마스크;상기 제1 플래튼 및 상기 제2 플래튼 중 적어도 하나의 플래튼에 배치된 기판의 일면에 이온을 주입하는 이온 주입부; 및상기 제1 플래튼 및 상기 제2 플래튼의 상부에 각각 위치하며, 이온 주입 공정이 완료된 기판 위에 배치된 마스크와 접촉하여 상기 마스크를 냉각하는 냉각판을 포함하고,상기 플래튼은 상기 마스크를 정렬하기 위한 마스크 정렬대와, 상기 플래튼에 배치된 기판을 정렬하기 위한 기판 정렬대를 구비하는 이온 주입장치
2 2
제1항에서,상기 냉각판은 상하 방향으로 이동이 가능한 이온 주입장치
3 3
제1항에서,상기 마스크는 마스크 본체 및 지지대를 포함하고, 상기 지지대는 플래튼에 구비된 지지대 설치 구멍에 삽입되며, 상기 지지대 설치 구멍의 폭은 상기 지지대의 폭보다 크게 형성된 이온 주입장치
4 4
삭제
5 5
제3항에서,상기 플래튼은 상기 마스크와 상기 기판을 정렬하기 위해 틸트(tilt)되는 이온 주입장치
6 6
제5항에서,상기 플래튼이 틸트(tilt)되면, 상기 마스크는 상기 마스크 정렬대와 접촉될 때까지 슬라이드(slide) 되는 이온 주입장치
7 7
제6항에서,상기 플래튼이 틸트되면, 상기 기판은 상기 기판 정렬대와 접촉될 때까지 상기 지지대에 의해 강제적으로 슬라이드 되는 이온 주입장치
8 8
제7항에서,상기 마스크가 상기 마스크 정렬대와 접촉함과 아울러, 상기 기판이 상기 기판 정렬대와 접촉한 상태에서 상기 플래튼을 좌우 방향으로 왕복 이송하면서 이온 주입 공정을 실시하는 이온 주입장치
9 9
제3항에서,상기 마스크를 상하 방향으로 이동시키는 업/다운 구동부를 더 포함하는 이온 주입장치
10 10
제9항에서,상기 지지대는 상기 업/다운 구동부와 접촉하는 부분에 테이퍼부를 구비하는 이온 주입장치
11 11
제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 플래튼에 배치된 기판을 보관하는 제1 로드락 챔버, 상기 제2 플래튼에 배치된 기판을 보관하는 제2 로드락 챔버, 상기 제1 플래튼과 상기 제1 로드락 챔버 사이에 배치되는 제1 트랜스퍼 챔버, 및 상기 제2 플래튼과 상기 제2 로드락 챔버 사이에 배치되는 제2 트랜스퍼 챔버를 더 포함하는 이온 주입장치
12 12
제11항에서,상기 제1 플래튼에 배치된 기판에 이온을 주입하는 동안 상기 제2 플래튼에 기판을 배치하고, 상기 제2 플래튼에 배치된 기판에 이온을 주입하는 동안 상기 제1 플래튼에 배치된 기판을 배출하고 상기 제1 플래튼 상부의 마스크를 냉각하는 이온 주입장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.