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촉매 금속 층 상에 그래핀 층을 형성하는 단계;상기 그래핀 층 상에 도펀트를 포함하는 지지층을 위치시키는 단계;상기 촉매 금속 층을 제거하는 단계;상기 그래핀 층 상에 기판을 위치시키는 단계; 및상기 지지층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 지지층은,기재; 및상기 기재 상에 위치하며, 상기 도펀트를 포함하는 점착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 지지층은, 상기 도펀트를 포함하는 유기물 또는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 2항에 있어서, 상기 지지층은, 상기 점착층 상에 직접 코팅되는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 도펀트는, 아민 화합물을 포함하는 고분자 또는 유기물 물질을 포함하는 n-형 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 5항에 있어서, 상기 n-형 도펀트는, 폴리에틸렌아민(PolyEthylene Amine)), 히드라진(N2H4), 피리딘(C5H5N), 피롤(C4H5N), 아세토니트릴(CH3CN), 트리에타놀아민(TriEthanolAmine), 아닐린(Aniline), 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 도펀트는, 플루오르계 폴리머(fluoropolymer)를 포함하는 p-형 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 7항에 있어서, 상기 p-형 도펀트는, TFSA, 폴리퍼플루오르부테닐비닐에테르(polyperfluorobutenylvinylether), 아몰퍼스 플루오로폴리머(amorphous fluoropolymer), CYTOP, 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은, 반도체 기판 또는 PET를 포함하는 투명 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 촉매 금속 층을 제거하는 단계는, 습식 식각에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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제 1항에 있어서, 상기 지지층을 제거하는 단계는 용제를 이용하거나 열을 가하여 제거하는 것을 특징으로 하는 그래핀의 도핑 방법
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