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기판;상기 기판 위에 위치하며, 광 흡수용 제1 진성층을 포함하는 제1 광전 변환부; 및상기 제1 광전 변환부를 투과한 빛을 상기 제1 진성층으로 반사하는 후면 반사층을 포함하며,상기 후면 반사층은 n형 불순물 또는 p형 불순물이 도핑된 미세 결정 실리콘 산화물(μc-SiOx)을 포함하며 상기 제1 광전 변환부의 제1 진성층과 직접 접촉하는 제1 후면 반사막을 구비하며, 상기 제1 후면 반사막 내에서 산소(O)와 실리콘(Si)의 원자 함량비(O/Si)는 상기 제1 진성층과 직접 접촉하는 제1 표면에서의 상기 원자 함량비가 상기 제1 표면의 반대쪽에 위치하는 제2 표면에서의 상기 원자 함량비에 비해 크게 형성되는 박막 태양전지
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제1항에서,상기 제1 표면에서의 상기 원자 함량비는 1
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제2항에서,상기 제1 표면에서의 상기 원자 함량비와 상기 제2 표면에서의 상기 원자 함량비의 차이는 0
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제1항에서,상기 제1 후면 반사막은 100㎚ 내지 500㎚의 두께로 형성되는 박막 태양전지
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제1항에서,상기 제1 표면은 800㎚의 파장 대역에서 1
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제1항에서,상기 제1 표면은 1
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제1항에서,상기 제1 후면 반사막의 상기 원자 함량비는 상기 제1 표면에서 상기 제2 표면으로 갈수록 선형적으로 감소하는 박막 태양전지
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제7항에서,상기 제1 표면에서 상기 제2 표면으로 갈수록 미세 결정 실리콘 석출물층의 함유량이 증가하는 박막 태양전지
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제1항에서,상기 제1 후면 반사막의 상기 원자 함량비는 상기 제1 표면에서 상기 제2 표면으로 갈수록 곡선적으로 감소하는 박막 태양전지
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10
제9항에서,상기 제1 표면에서 상기 제2 표면으로 갈수록 미세 결정 실리콘 석출물층의 함유량이 증가하는 박막 태양전지
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11
제1항에서,상기 제1 후면 반사막의 상기 원자 함량비는 상기 제1 표면에서 상기 제2 표면으로 갈수록 계단형으로 감소하는 박막 태양전지
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12
제11항에서,상기 제1 후면 반사막은 제1 원자 함량비를 갖는 제1 영역과, 상기 제1 원자 함량비에 비해 작은 원자 함량비를 갖는 제2 영역을 포함하는 박막 태양전지
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13
제12항에서,상기 제1 영역의 두께는 상기 제1 후면 반사막의 두께의 0
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제12항에서,상기 제2 영역에는 미세 결정 실리콘 석출물층이 상기 제1 영역에 비해 높은 함유량으로 형성되는 박막 태양전지
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제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에서,상기 후면 반사층은 상기 제1 후면 반사막의 상기 제2 표면 쪽에 위치하는 제2 후면 반사막을 더 포함하는 박막 태양전지
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16
제15항에서,상기 제2 후면 반사막은 AZO(Aluminum zinc-oxide) 또는 BZO(Boron zinc-oxide)를 포함하는 투명 전도층으로 형성되는 박막 태양전지
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17
제15항에서,상기 제2 후면 반사막은 10㎚ 내지 50㎚의 두께로 형성되는 박막 태양전지
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18
제15항에서,상기 제1 진성층은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 미세 결정 실리콘(μc-Si)을 포함하는 박막 태양전지
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