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태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015067444
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 실시에에 따른 태양 전지는, 서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 구비하며, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 형성되며, 제2 도전형 도펀트를 포함하는 에미터층; 상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 형성되며, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 후면 전계층; 상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함한다. 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 각진 부분을 포함하는 제1 요철이 형성되고, 상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 상기 제1 요철과 다른 형상을 가지도록 라운드진 형상을 가지는 제2 요철이 형성된다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/0684(2013.01) H01L 31/0684(2013.01) H01L 31/0684(2013.01)
출원번호/일자 1020120025702 (2012.03.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0104309 (2013.09.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.22)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황성현 대한민국 서울 서초구
2 김진성 대한민국 서울 서초구
3 최영호 대한민국 서울 서초구
4 윤필원 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0203418-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0918283-80
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0043156-60
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0239213-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0535264-29
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2017-0535263-84
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0757814-28
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1193052-58
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1193051-13
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0873311-63
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2018.02.21 수리 (Accepted) 7-8-2018-0004118-00
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 구비하며, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 식각하여 제1 요철을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 및 상기 제2 면에 제2 도전형 도펀트를 도핑하여 에미터층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 제2 면을 식각하여 상기 제2 면에서 상기 에미터층을 제거하면서 상기 제1 요철과 다른 형상의 제2 요철을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 제2 도전형 도펀트를 도핑하여 후면 전계층을 형성하는 단계 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 요철은 적어도 일부가 라운드진 태양 전지의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 제2 요철은 상기 제2 면 상에 불규칙하게 분포하는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1 요철은 각진 부분을 포함하고, 상기 제2 요철을 형성하는 단계에서는, 상기 제2 면의 상기 제1 요철의 각진 부분이 식각되어 라운드진 형상을 가지는 상기 제2 요철이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 제1 요철은 피라미드 형상을 포함하고,상기 제2 요철은 유충(wormlike) 형상을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 요철을 형성하는 단계에서는 상기 반도체 기판의 상기 측면을 함께 식각하는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 요철을 형성하는 단계에서는 상기 반도체 기판의 상기 제2 면을 2~4㎛의 두께만큼 식각하는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제2 요철을 형성하는 단계는 습식 식각 방법에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 요철을 형성하는 단계에서는, 알칼리 용액을 이용한 습식 식각 방법에 의해 수행되고, 상기 제2 요철을 형성하는 단계에서는, 산성 용액을 이용한 습식 식각 방법에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제2 요철을 형성하는 단계는, 상기 에미터층을 형성하는 단계와 상기 후면 전계층을 형성하는 단계 사이에서의 인라인(inline) 공정에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 에미터층을 형성하는 단계가 수행되는 장비와 상기 후면 전계층을 형성하는 단계가 수행되는 장비 사이에, 식각 용액을 수용하며 자동 이송 부재가 위치하는 프레임이 위치하고, 상기 제2 요철을 형성하는 단계는 상기 반도체 기판의 상기 제2 면이 상기 자동 이송 부재 쪽에 위치한 상태로 상기 자동 이송 부재 상에서 이동하면서 수행되는 태양 전지의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 자동 이송 부재는 복수의 롤을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제1항에 있어서,상기 에미터층을 형성하는 단계는 열확산 방법에 의하여 수행되고, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계는 이온 주입법에 의하여 수행되는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 도펀트가 n형 도펀트를 포함하며,상기 제2 도전형 도펀트가 p형 도펀트를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판의 상기 제1 면의 불순물을 제거하고 상기 제2 면을 세정하는 단계 를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제1항에 있어서, 상기 후면 전계층을 형성하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 반사 방지막을 형성하고 상기 제2 면에 패시베이션 막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체 기판에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
17 17
서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 구비하며, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 형성되며, 제2 도전형 도펀트를 포함하는 에미터층; 상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 형성되며, 제1 도전형 도펀트를 포함하는 후면 전계층; 상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 제2 전극 을 포함하고, 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 각진 부분을 포함하는 제1 요철이 형성되고, 상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 상기 제1 요철과 다른 형상을 가지도록 라운드진 형상을 가지는 제2 요철이 형성되는 태양 전지
18 18
제17항에 있어서, 상기 제1 요철은 피라미드 형상을 포함하고,상기 제2 요철은 유충(wormlike) 형상을 포함하는 태양 전지
19 19
제17항에 있어서, 상기 제2 요철은 상기 제2 면 상에 불규칙하게 분포하는 태양 전지
20 20
제17항에 있어서,상기 제1 면의 반사도가 상기 제2 면의 반사도보다 낮은 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.