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서로 반대되는 제1 면 및 제2 면, 상기 제1 면 및 상기 제2 면과 교차하는 측면을 구비하는 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 제1 도전형 불순물을 단면 도핑하는 제1 도핑하는 단계; 상기 반도체 기판의 상기 측면을 식각하여 해당 부분에 잔류하는 상기 제1 도전형 불순물을 제거하고, 상기 제1 도전형 불순물이 미배치된 상기 제2 면을 식각하는 아이솔레이션 단계; 및상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 제2 도전형 불순물을 단면 도핑하는 제2 도핑하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 아이솔레이션하는 단계에서는 상기 반도체 기판의 상기 측면과 함께 상기 제2 면을 식각하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 아이솔레이션하는 단계에서는 상기 반도체 기판의 상기 측면의 식각 두께보다 상기 제2 면의 식각 두께가 더 큰 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 상기 측면의 식각 두께가 0
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제2항에 있어서,상기 반도체 기판의 상기 측면의 식각 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 아이솔레이션하는 단계는 습식 식각 방법에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 아이솔레이션하는 단계는, 상기 제1 도핑하는 단계와 상기 제2 도핑하는 단계 사이에서의 인라인(inline) 공정에 의해 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 도핑하는 단계가 수행되는 장비와 상기 제2 도핑하는 단계가 수행되는 장비 사이에, 식각 용액을 수용하며 자동 이송 부재가 위치하는 프레임이 위치하고, 상기 아이솔레이션하는 단계는 상기 반도체 기판의 후면이 상기 자동 이송 부재 쪽에 위치한 상태로 상기 자동 이송 부재 상에서 이동하면서 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 자동 이송 부재는 복수의 롤을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 도핑하는 단계 및 상기 제2 도핑하는 단계가 각기 이온 주입법에 의하여 수행되는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판이 상기 제2 도전형 불순물을 포함하고, 상기 제1 도전형 불순물이 p형 불순물을 포함하며,상기 제2 도전형 불순물이 n형 불순물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 도핑하는 단계 이후에 상기 반도체 기판을 어닐링(annealing)하여 상기 제1 도전형 불순물과 상기 제2 도전형 불순물을 동시 활성화(coactivation)하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 동시 활성화하는 단계에 의하여, 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 도핑된 상기 제1 도전형 불순물에 의하여 에미터층이 형성되고, 상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 도핑된 상기 제2 도전형 불순물에 의하여 후면 전계층이 형성되는 태양 전지의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 제2 도핑하는 단계 이후에, 상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 반사 방지막을 형성하고 상기 제2 면에 패시베이션 막을 형성하는 단계; 및 상기 에미터층에 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 상기 후면 전계층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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