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n형의 도전성 타입을 갖고 있는 결정질 반도체로 이루어진 기판,상기 기판의 제1 면에 위치하고 p형의 도전성 타입을 갖고 있는 에미터부,상기 에미터부 위에 위치하는 제1 반사 방지막,상기 제1 반사 방지막 위에 위치하는 제2 반사 방지막,상기 제1 면에 위치하고 상기 에미터부와 연결되어 있는 제1 전극,상기 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 기판의 제2 면 위에 위치하는 제1 보호막,상기 제1 보호막 위에 위치하는 제2 보호막, 그리고상기 기판의 제2 면에 위치하고, 상기 제2 보호막과 상기 제1 보호막을 관통하여 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 에미터부는 상기 제1 반사 방지막과 접하는 면에, 5㎛ 내지 10㎛의 돌출 높이와 최대 지름을 가지며, 1
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제1항에서,상기 제1 반사 방지막과 상기 제2 보호막은 알루미늄 산화물로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 제2 반사 방지막과 상기 제1 보호막은 실리콘 질화물로 이루어져 있는 태양 전지
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삭제
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제1항에서,상기 제1 반사 방지막과 상기 제2 보호막은 각각 5㎚ 내지 15㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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제7항에서,상기 제2 반사 방지막과 상기 제1 보호막은 각각 70㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막 사이에 위치하고 실리콘 산화물로 이루어진 실리콘 산화막을 더 포함하는 태양 전지
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10
제9항에서,상기 실리콘 산화막은 50㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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제1항 내지 제3항 및 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에서,상기 기판의 상기 제2 면과 상기 제1 보호막 사이에 위치하고 실리콘 산화물로 이루어진 실리콘 산화막을 더 포함하는 태양 전지
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제11항에서,상기 실리콘 산화막은 2㎚ 내지 3㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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제1항에서,상기 제1 면과 상기 제2 면은 빛을 입사 받는 입사면인 태양 전지
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제1항에서,상기 제2 반사 방지막 위에 위치하고 실리콘 산화물로 이루어진 실리콘 산화막을 더 포함하는 태양 전지
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제14항에서,상기 실리콘 산화막은 50㎚ 내지 100㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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제14항에서,상기 에미터부와 상기 제1 반사 방지막 사이에 위치하고 실리콘 산화물로 이루어진 실리콘 산화막을 더 포함하는 태양 전지
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제15항에서,상기 실리콘 산화막은 2㎚ 내지 3㎚의 두께를 갖는 태양 전지
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