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단결정 실리콘 잉곳인상방법, 및 그 방법을 위한 시드

  • 기술번호 : KST2015067511
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 단결정 실리콘 잉곳인상방법에는, 멜트를 제공하는 과정; 및 상기 멜트에 시드를 접촉하여 실리콘 잉곳을 인상하는 과정이 포함되고, 상기 시드에서 상기 멜트에 접하는 단부에는 상기 실리콘 잉곳의 도핑원이 있고, 상기 도핑원은 상기 멜트에 용융되어 상기 멜트로 확산되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 멜트에 정확한 양만큼의 도핑물질을 편리하고 간단하고 정확하게 도입할 수 있고, 필요한 양만큼의 BMD를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
CPC C30B 15/04(2013.01) C30B 15/04(2013.01) C30B 15/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120019585 (2012.02.27)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-1395359-0000 (2014.05.08)
공개번호/일자 10-2013-0097925 (2013.09.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조화진 대한민국 경북 구미시
2 구영수 대한민국 경북 구미시
3 김상희 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0156808-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.29 수리 (Accepted) 9-1-2013-0021017-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0673039-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-1094848-91
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1094847-45
7 등록결정서
Decision to grant
2014.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0287912-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
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번호 청구항
1 1
멜트를 제공하는 과정; 상기 멜트에 접촉하여 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 시드를 형성하는 과정; 및상기 멜트에 시드를 접촉하여 실리콘 잉곳을 인상하는 과정이 포함되고, 상기 시드를 형성하는 과정은,상기 실리콘 잉곳을 절단하여 단결정 실리콘 블록을 형성하는 과정과,상기 단결정 실리콘 블록 일면에 도핑원을 소정의 두께로 증착시키는 과정을 포함하고,상기 도핑원은 상기 멜트에 용융되어 상기 멜트로 확산되는 단결정 실리콘 잉곳인상방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도핑원은 질소 또는 탄소이고, 상기 도핑원은 규소화합물로써 증착되어 있는 단결정 실리콘 잉곳인상방법
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제 1 항에 있어서, 상기 시드는, 실리콘 단결정 잉곳을 소정의 결정방향으로 시드의 길이만큼의 두께로 절단하는 과정;실리콘 단결정 블록의 일면에 도핑원을 성장시키는 과정; 및도핑원이 성장된 상기 실리콘 단결정 블록을 상기 시드의 단면적크기로 절단하는 과정으로 생산되는 실리콘 단결정 잉곳인상방법
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결정성장방향을 따라서 일방향으로 길게 제공되는 단결정 실리콘; 상기 단결정 실리콘을 절단하여 형성된 단결정 실리콘 블록; 및상기 단결정 실리콘 블록 상면에 소정의 두께로 증착된 도핑원;을 포함하고,상기 도핑원은 상기 단결정 실리콘 블록 일부분에 적어도 하나의 도핑원이 증착되며,상기 도핑원은 멜트에 접촉하여 멜트로 확산되는 시드
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제 4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 도핑원은 질소 및 탄소 중의 적어도 어느 하나는 포함하고, 규소화합물로써 실리콘 단결정 잉곳의 성장에 사용되는 시드
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.