1 |
1
반도체 웨이퍼를 감지하여 웨이퍼 감지 신호를 출력하는 웨이퍼 감지부,상기 웨이퍼 감지부와 연결되어 있고, 상기 웨이퍼 감지부로부터의 상기 웨이퍼 감지 신호의 상태에 따라 제1 제어 신호나 제2 제어 신호를 출력하는 제어부,정해진 크기의 압력을 갖는 공기를 출력하는 공기 출력부,상기 제어부와 상기 공기 출력부에 연결되어 있고, 상기 제어부로 인가되는 제1 제어 신호 또는 제2 제어 신호에 따라 개방 상태 또는 폐쇄 상태로 변하여 상기 공기 출력부로부터 인가되는 상기 공기를 공급하거나 차단하는 솔레노이드 밸브, 그리고상기 솔레노이드 밸브와 연결되어 있고, 상기 솔레노이드 밸브가 개방 상태일 때, 상기 솔레노이드 밸브로 인가되는 상기 공기를 상기 반도체 웨이퍼 위에 분사하는 복수의 노즐을 포함하는 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
2 |
2
제1항에서, 상기 공기 출력부는 공기를 압축하여 제1 압력을 갖는 공기를 생산하는 공기 압축기, 그리고 상기 공기 압축기와 연결되어 있고 상기 공기 압축기에서 공급되는 공기를 제2 압력을 갖는 공기로 변환하여 상기 솔레노이드 밸브로 인가하는 공기 압력 조정부를 포함하는 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
3 |
3
제2항에서, 상기 제1 압력은 1㎏f/㎠ 이상이고, 상기 제2 압력은 0
|
4 |
4
제2항에서, 상기 제2 압력은 일정 압력인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
5 |
5
제2항에서, 상기 제2 압력은 시간에 따라 변하는 가변 압력인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
6 |
6
제1항에서, 상기 반도체 웨이퍼는 상기 복수의 노즐에서 분사되는 상기 공기에 의해 휘게 되고, 상기 반도체 웨이퍼의 휨 정도는 10㎜ 내지 15㎜인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
7 |
7
제1항에서, 상기 제어부는 상기 웨이퍼 감지 신호에 의해 상기 반도체 웨이퍼가 감지된 상태로 판단되면 상기 제1 제어 신호를 설정 시간 동안 상기 솔레노이드 밸브로 출력하고, 상기 솔레노이드 밸브는 상기 제1 제어 신호에 의해 개방 상태로 되는반도체 웨이퍼 검사 장치
|
8 |
8
제7항에서,상기 설정 시간은 0
|
9 |
9
제7항에서상기 반도체 웨이퍼가 위치하고 서로 이격되어 나란하게 배치된 두 개의 이송 벨트를 더 포함하고, 상기 두 개의 이송 벨트는 상기 반도체 웨이퍼를 상기 복수의 노즐 하부로 이송하는 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
10 |
10
제9항에서,상기 두 개의 이송 벨트 간의 간격은 70㎜ 내지 80㎜인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
11 |
11
제9항에서,상기 반도체 웨이퍼의 표면은 복수의 소잉 마크(sawing mark)를 구비하고 있고, 상기 소잉 마크는 상기 두 개의 이송 벨트와 나란한 방향으로 연장되어 있는 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
12 |
12
제1항에서,제1 방향으로 인접한 두 노즐 간의 거리와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 두 노즐 간의 거리는 각각 100㎜ 내지 150㎜인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
13 |
13
제1항에서,상기 복수의 노즐 각각의 끝단과 그 하부에 위치한 상기 반도체 웨이퍼의 상부면간의 간격은 10㎜ 내지 20㎜인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
14 |
14
제1항에서,상기 솔레노이드 밸브와 상기 복수의 노즐 각각을 연결하는 공급관을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
15 |
15
제14항에서,상기 공급관의 내부 직경은 8㎜ 내지 20㎜인 반도체 웨이퍼 검사 장치
|
16 |
16
제14항 또는 제15항에서,상기 솔레노이드 밸브와 복수의 노즐 각각의 끝단까지의 거리는 1
|
17 |
17
웨이퍼 감지부로부터 출력되는 웨이퍼 감지 신호를 판독하여 반도체 웨이퍼가 감지되었는지를 판단하는 단계,상기 반도체 웨이퍼가 감지된 상태로 판단되면, 설정 시간 동안 솔레노이드 밸브를 개방하는 솔레노이드 개방 신호를 상기 솔레노이드 밸브로 출력하여, 공기 출력부로부터 공급되는 공기를 복수의 노즐로 인가하여 상기 복수의 노즐을 통해 상기 공기를 상기 반도체 웨이퍼 위로 분사하는 단계, 그리고상기 설정 시간이 경과하면 상기 솔레노이드 밸브를 폐쇄하는 솔레노이드 폐쇄 신호를 출력하여, 상기 복수의 노줄에서 상기 반도체 웨이퍼 위로 분사되는 상기 공기를 차단하는 단계를 포함하고,상기 반도체 웨이퍼는 상기 복수의 노즐 하부에 위치하며,상기 복수의 노즐의 하부에 위치한 반도체 웨이퍼 위로 상기 공기가 분사되면 상기 반도체 웨이퍼는 휘게 되어, 상기 반도체 웨이퍼에 이미 발생한 크랙의 크기는 증가하는반도체 웨이퍼 감지 장치의 제어 방법
|
18 |
18
제17항에서, 상기 설정 시간은 0
|
19 |
19
제17항에서,상기 공기 출력부에서 출력되는 상기 공기의 압력은 0
|
20 |
20
제17항에서,상기 반도체 웨이퍼의 휨 정도는 10㎜ 내지 15㎜인 반도체 웨이퍼 감지 장치의 제어 방법
|