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제1 도전성 타입을 갖는 반도체 기판,상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖고 상기 반도체 기판의 제1 면에 위치하는 에미터부,상기 에미터부 위에 위치하는 반사 방지부,상기 반도체 기판의 제1 면의 반대편에 위치하는 상기 반도체 기판의 제2 면 위에 바로 위치하여 상기 반도체 기판의 상기 제2 면 쪽에 전하 축적층을 형성하고, 상기 제1 도전성 타입을 갖는 불순물을 함유한 반도체층,상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 위치하고 상기 에미터부와 연결된 제1 전극, 그리고상기 반도체 기판의 상기 제2 면에 위치하고 상기 반도체 기판과 연결된 제2 전극을 포함하고,포함하고,상기 제1 도전성 타입을 n형이고, 상기 제2 도전성 타입은 p형이며, 상기 반사 방지부는 상기 에미터부 위에 위치하고, 5㎚ 내지 10㎚의 두께를 갖는 알루미늄 산화물로 이루어진 제1 반사 방지막과 상기 제1 반사 방지막 위에 위치하고, 70㎚ 내지 80㎚의 두께를 갖는 실리콘 질화물로 이루어진 제2 반사 방지막을 포함하는 태양 전지
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제1항에서, 상기 반도체층에 함유된 상기 불순물의 함량은 1×1018/cm3 내지 5×1020/cm3인 태양 전지
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제2항에서,상기 반도체층은 탄화 규소(SiC)로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 제2 전극과 접해 있는 상기 기판의 상기 제2 면에 위치하고 상기 제1 도전성 타입을 갖는 전계부를 더 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 반도체 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 에미터부는 결정질 반도체로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 반도체 기판은 결정질 반도체로 이루어져 있고, 상기 에미터부는 비정질 실리콘으로 이루어져 있는 태양 전지
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7
제1항에서,상기 에미터부는 탄화 규소로 이루어져 있는 태양 전지
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제1항에서,상기 에미터부는 비정질 실리콘으로 이루어져 있는 태양 전지
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제9항에서,상기 제1 전극이 접하는 상기 기판의 상기 제1 면에 상기 에미터부보다 높은 농도로 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 함유한 고농도 도핑부를 더 포함하는 태양 전지
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제7항에서,상기 에미터부와 상기 반도체 기판 사이에 보호부를 더 포함하는 태양 전지
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삭제
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제1 도전성 타입을 갖는 반도체 기판,상기 제1 도전성 타입과 다른 제2 도전성 타입을 갖고, 상기 반도체 기판의 제1 면에 위치하여 상기 반도체 기판의 상기 제1 면 쪽에 전하 축적층을 형성하는 에미터부,상기 에미터부 위에 위치하는 반사 방지부,상기 반도체 기판의 상기 제1 면에 위치하여 상기 에미터부와 연결된 제1 전극, 그리고상기 반도체 기판의 상기 제1 면의 반대편에 위치한 제2 면에 위치하고 상기 반도체 기판과 연결된 제2 전극을 포함하고,상기 제1 도전성 타입을 n형이고, 상기 제2 도전성 타입은 p형이며, 상기 반사 방지부는 상기 에미터부 위에 위치하고, 5㎚ 내지 10㎚의 두께를 갖는 알루미늄 산화물로 이루어진 제1 반사 방지막과 상기 제1 반사 방지막 위에 위치하고, 70㎚ 내지 80㎚의 두께를 갖는 실리콘 질화물로 이루어진 제2 반사 방지막을 포함하는 태양 전지
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제15항에서,상기 에미터부는 탄화 규소로 이루어져 있는 태양 전지
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제15항에서,상기 에미터부는 비정질 탄화 규소로 이루어져 있는 태양 전지
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제18항에서,상기 제1 전극이 접하는 상기 기판의 상기 제1 면에 상기 에미터부보다 높은 농도로 상기 제2 도전성 타입의 불순물을 함유한 고농도 도핑부를 더 포함하는 태양 전지
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제16항 또는 제18항에서,상기 에미터부와 상기 반도체 기판 사이에 보호부를 더 포함하는 태양 전지
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