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챔버 내에서 기판 위에 전면 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 형성된 상기 전면 전극을 에칭하여 상기 전면 전극의 표면에 요철을 형성하는 단계;상기 전면 전극 위에 광전 변환부를 형성하는 단계; 및상기 광전 변환부 위에 후면 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전면 전극을 형성하는 단계는 상기 챔버 내의 공정 압력을 제1 압력에서 제2 압력으로 연속 또는 비연속적으로 감소하면서 상기 전면 전극을 형성하되, 상기 제1 압력에서 상기 기판 위에 제1 전면 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 압력에서 상기 제1 전면 전극층 위에 제2 전면 전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 광전 변환부를 형성하는 단계에서는 상기 광전 변환부가 상기 제2 압력으로 형성된 제2 전면 전극층 위에 형성되는 박막 태양 전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제2 전면 전극층의 형성 두께는 상기 제1 전면 전극층의 형성 두께보다 작은 박막 태양 전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전면 전극층은 상기 제2 전면 전극층보다 1
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전면 전극층의 형성 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 제1 압력은 1
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제1 항에 있어서,상기 전면 전극에 요철을 형성하는 단계에서 상기 전면 전극을 에칭하여 상기 제2 전면 전극층이 전부 제거되는 박막 태양 전지 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 전면 전극에 요철을 형성하는 단계에서 상기 전면 전극을 에칭한 결과, 상기 요철의 꼭대기 부분은 상기 제2 전면 전극층인 박막 태양 전지 제조 방법
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기판;상기 기판 위에 배치되며, 상기 기판과 접하는 면의 반대면은 복수의 요철이 형성된 전면 전극;상기 전면 전극의 요철이 형성된 면 위에 형성되는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 배치되는 후면 전극;을 포함하고, 상기 전면 전극을 상기 기판 위에 형성할 때, 공정 압력이 제1 압력에서 제2 압력으로 연속 또는 비연속적으로 감소하면서 형성되어, 상기 전면 전극에서 상기 광전 변환부와 인접하는 부분인 상기 요철의 꼭대기 부분의 알루미늄 농도는 상기 기판과 인접하는 부분의 알루미늄 농도보다 낮은 박막 태양 전지
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제 15 항에 있어서,상기 기판과 접하는 부분에서의 제1 알루미늄 농도(A1) 대비 상기 요철의 꼭대기 부분의 제2 알루미늄 농도(A2)의 비(A1/A2)는 1
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제 15 항에 있어서,상기 전면 전극에서의 상기 알루미늄 농도는 상기 기판과 접하는 부분에서 상기 요철의 꼭대기 부분으로 진행할수록 점진적으로 감소하는 박막 태양 전지
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제 17 항에 있어서,상기 전면 전극은 상기 기판과 접하는 제1 전면 전극층과 상기 요철의 꼭대기 부분을 포함하며 상기 광전 변환부와 접하는 제2 전면 전극층을 포함하는 박막 태양 전지
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제 20 항에 있어서,상기 제2 전면 전극층에서의 상기 알루미늄 농도는 제1 알루미늄 농도에서 상기 제1 알루미늄 농도 보다 낮은 제2 알루미늄 농도로 연속적으로 감소하는 박막 태양 전지
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기판;상기 기판 위에 배치되며, 상기 기판과 접하는 면의 반대면은 복수의 요철이 형성된 전면 전극;상기 전면 전극의 요철이 형성된 면 위에 형성되는 광전 변환부; 및상기 광전 변환부 위에 배치되는 후면 전극;을 포함하고, 상기 전면 전극을 상기 기판 위에 형성할 때, 공정 압력이 제1 압력에서 제2 압력으로 연속 또는 비연속적으로 감소하면서 형성되어, 상기 전면 전극에서 상기 광전 변환부와 인접하는 부분인 상기 요철의 꼭대기 부분에서의 케리어 농도는 상기 기판과 인접하는 부분에서의 케리어 농도보다 낮은 박막 태양 전지
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제 24 항에 있어서,상기 요철의 꼭대기 부분에서의 케리어 농도인 제1 케리어 농도(K1) 대비 상기 기판과 접하는 부분에서의 케리어 농도인 제2 케리어 농도(K2)의 비(K1/K2)는 1
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제 25 항에 있어서,상기 제1 케리어 농도는 단위 부피(cm3)당 2
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