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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015067624
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명의 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층; 및, 상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층;을 포함하고,상기 제1 관통홀들의 측벽은 경사지도록 형성된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020120034002 (2012.04.02)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1349411-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자 10-2013-0111816 (2013.10.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철환 대한민국 서울 중구
2 신민정 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0263470-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0032423-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0516393-18
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0866326-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0974395-83
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0974398-19
8 등록결정서
Decision to grant
2013.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0825287-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층;상기 제1 관통홀들을 메우도록 형성되는 절연체; 및상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층;을 포함하고,상기 제1 관통홀들의 측벽은 경사지며,상기 절연체는 상기 후면전극층 물질과 동일한 물질을 포함하는 태양전지
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 절연체는 MoO 또는 MoO3를 포함하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 관통홀들의 상부의 폭은 하부의 폭보다 넓게 형성되는 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 제1 관통홀들의 상부의 폭은 70㎛ 내지 100㎛인 태양전지
7 7
기판 상에 후면전극층을 적층하는 단계; 및,상기 후면전극층에 측벽이 경사지도록 제1 관통홀들을 형성하는 단계; 및상기 제1 관통홀들을 메우는 절연체를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 관통홀들의 형성시 레이저를 조사하면서 산소를 주입하며,상기 절연체는 상기 후면전극층 물질과 동일한 물질을 포함하는 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 제1 관통홀들은 레이저를 3 내지 5w의 파워에서, 100 내지 400mm/s의 스크라이빙 속도로 패터닝하여 형성하는 태양전지의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 절연체는 MoO 또는 MoO3를 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
기판;상기 기판 상에 형성되고 상기 기판의 일부가 노출되도록 제1 관통홀들을 포함하는 후면전극층;상기 후면전극층 상에 형성되는 광 흡수층; 및,상기 제1 관통홀들을 메우도록 형성되는 절연체;를 포함하며,상기 절연체는 상기 후면전극층 물질과 동일한 물질을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.