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고분자막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015067678
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고분자막 및 상기 고분자막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 표면을 보호하는 고분자막 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
Int. CL B32B 27/06 (2006.01) C08L 27/18 (2006.01) C08J 7/04 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC B32B 27/08(2013.01) B32B 27/08(2013.01) B32B 27/08(2013.01) B32B 27/08(2013.01) B32B 27/08(2013.01) B32B 27/08(2013.01)
출원번호/일자 1020120042576 (2012.04.24)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1474601-0000 (2014.12.12)
공개번호/일자 10-2013-0119630 (2013.11.01) 문서열기
공고번호/일자 (20141224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정훈 대한민국 대전 서구
2 김기환 대한민국 대전 유성구
3 임진형 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0326003-01
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0121073-13
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2013-0093696-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0299657-21
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0616840-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0616839-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0790564-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노압입(nanoindentation) 방법으로 측정된 강도가 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 고분자막 및 제2 고분자막 중 어느 하나 이상은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자막
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제1 고분자막 및 제2 고분자막은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자막
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제1 고분자막의 두께는 20 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 고분자막
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제2 고분자막의 두께는 50 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 고분자막
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 제1 고분자막의 밀도는 상기 제2 고분자막의 밀도보다 높은 것을 특징으로 하는 고분자막
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 제1 고분자막 및 제2 고분자막 중 어느 하나 이상은 다공성 고분자막인 것을 특징으로 하는 고분자막
8 8
a) 나노압입(nanoindentation) 방법으로 측정된 강도가 0
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
청구항 8에 있어서, 상기 제1 고분자막은 상기 열선 화학기상증착 (hot-wire chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 상기 제1 고분자막을 형성하는 화합물을 10 내지 100 sccm의 유량으로 공급하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자막의 제조방법
12 12
삭제
13 13
청구항 8에 있어서, 상기 제2 고분자막은 상기 열선 화학기상증착 (hot-wire chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 상기 제2 고분자막을 형성하는 화합물을 100 내지 300 sccm의 유량으로 공급하여 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자막의 제조방법
14 14
청구항 8에 있어서, 상기 제1 고분자막의 두께는 20 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 고분자막의 제조방법
15 15
청구항 8에 있어서, 상기 제2 고분자막의 두께는 50 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 고분자막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.