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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015067689
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명의 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성되고, 상부로 갈수록 불순물의 농도가 증가하는 구간을 포함하는 버퍼층; 및, 상기 버퍼층 상에 형성된 윈도우층;을 포함한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020120040089 (2012.04.18)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1372026-0000 (2014.03.03)
공개번호/일자 10-2013-0117472 (2013.10.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140310) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.18)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배도원 대한민국 서울 중구
2 권세한 대한민국 서울 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0306187-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0042372-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0453611-77
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0781692-67
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0781694-58
7 등록결정서
Decision to grant
2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0908662-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 형성된 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 형성되고, 상부로 갈수록 불순물의 농도가 증가하는 구간을 포함하는 버퍼층; 및, 상기 버퍼층 상에 형성된 윈도우층을 포함하고,상기 불순물은 In을 포함하는 태양전지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS의 화학식으로 형성되는 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 버퍼층 상에 고저항 버퍼층을 더 포함하는 태양전지
5 5
제4항에 있어서,상기 고저항 버퍼층은 i-ZnO의 화학식으로 형성되는 태양전지
6 6
지지기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 불순물을 도핑하는 단계; 및,상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 불순물은 In인 태양전지 제조방법
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서,상기 버퍼층은 제 1 버퍼층 및 제 2 버퍼층을 포함하고,상기 불순물을 도핑하는 단계는,상기 제 1 버퍼층 상에 불순물을 형성하는 단계; 상기 제 1 버퍼층을 가열하는 단계; 및상기 제 2 버퍼층을 상기 불순물이 확산되는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.